P溝道MOS管參數(shù)大全-P溝道MOS管基本知識介紹及導(dǎo)通條件-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2018-08-29
金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類，P溝道硅MOS場效應(yīng)晶體管在N型硅襯底上有兩個(gè)P+區(qū)，分別叫做源極和漏極，兩極之間不通導(dǎo)，柵極上加有足夠的正電壓(源極接地)時(shí)，柵極下的N型硅表面呈現(xiàn)P型反型層，成為連接源極和漏極的溝道。改變柵壓可以改變溝道中的電子密度，從而改變溝道的電阻。這種MOS場效應(yīng)晶體管稱為P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管。如果N型硅襯底表面不加?xùn)艍壕鸵汛嬖赑型反型層溝道，加上適當(dāng)?shù)钠珘海墒箿系赖碾娮柙龃蠡驕p小。這樣的MOS場效應(yīng)晶體管稱為P溝道耗盡型場效應(yīng)晶體管。統(tǒng)稱為PMOS晶體管。
P溝道MOS晶體管的空穴遷移率低,因而在MOS晶體管的幾何尺寸和工作電壓絕對值相等的情況下，P溝道MOS管的跨導(dǎo)小于N溝道MOS晶體管。此外，P溝道MOS晶體管閾值電壓的絕對值一般偏高，要求有較高的工作電壓。它的供電電源的電壓大小和極性,與雙極型晶體管——晶體管邏輯電路不兼容。PMOS因邏輯擺幅大，充電放電過程長，加之器件跨導(dǎo)小，所以工作速度更低，在NMOS電路(見N溝道金屬—氧化物—半導(dǎo)體集成電路)出現(xiàn)之后，多數(shù)已為NMOS電路所取代。只是,因P溝道MOS管電路工藝簡單,價(jià)格便宜，有些中規(guī)模和小規(guī)模數(shù)字控制電路仍采用P溝道MOS管電路技術(shù)。
PMOS集成電路是一種適合在低速、低頻領(lǐng)域內(nèi)應(yīng)用的器件。P溝道MOS管集成電路采用-24V電壓供電。如圖5所示的CMOS-PMOS接口電路采用兩種電源供電。采用直接接口方式，一般CMOS的電源電壓選擇在10～12V就能滿足PMOS對輸入電平的要求。
P溝道m(xù)os管作為開關(guān)，柵源的閥值為-0.4V，當(dāng)柵源的電壓差為-0.4V就會使DS導(dǎo)通，如果S為2.8V，G為1.8V，那么GS=-1V，mos管導(dǎo)通，D為2.8V如果S為2.8V，G為2.8V，VGSw那么mos管不導(dǎo)通，D為0V，所以，如果2.8V連接到S，要mos管導(dǎo)通為系統(tǒng)供電，系統(tǒng)連接到D，利用G控制。那么和G相連的GPIO高電平要2.8-0.4=2.4V以上，才能使mos管關(guān)斷，低電平使mos管導(dǎo)通。
如果控制G的GPIO的電壓區(qū)域?yàn)?.8V，那么GPIO高電平的時(shí)候?yàn)?.8V，GS為1.8-2.8=-1V，mos管導(dǎo)通，不能夠關(guān)斷。GPIO為低電平的時(shí)候，假如0.1V，那么GS為0.1-2.8=-2.7V,mos管導(dǎo)通。這種情況下GPIO就不能夠控制mos管的導(dǎo)通和關(guān)閉。當(dāng)柵源的電壓差為-0.4V就會使DS導(dǎo)通，如果S為5V，G為4V，那么GS=-1V，mos管導(dǎo)通，D為5V。
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本文主要是講述P溝道MOS管的參數(shù)、型號。
Part Numbe
ID（A）
BVDSS（V）
RDS（ON）（Ω）
Package
KIA2301
-2.8
-20
0.12
SOT-23
KIA2305
-3.5
-20
0.055
SOT-23
KIA3401
-4
-30
0.06
SOT-23
KIA3407
-4.1
-30
0.06
SOT-23
KIA3409
-2.6
-30
0.06
SOT-23
KIA3415
-4
-16
0.045
SOT-23
KIA3423
-2
-20
0.092
SOT-23
KIA4953
-5.3
-30
0.063
SOP-8
KIA9435
-5.3
-30
0.06
SOP-8
KIA7P03A
-7.5
-30
0.018
SOP-8
KIA4435
-10.5
-30
0.018
SOP-8
|
Part Numbe |
ID（A） |
VDSS（v） |
RDS（Ω）（MAX） |
RDS（Ω）（TYP） |
ciss |
|
pF |
|||||
|
KIA23P10A |
-23 |
-100 |
0.95 |
0..078 |
3029 |
|
KIA35P10A |
-35 |
-100 |
0.055 |
0.042 |
4920 |
|
KPD8610A |
-35 |
-100 |
0.055 |
0.042 |
6516 |
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