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低壓MOS管 40N06B 38A/60V中文資料-價格合理 供貨穩定-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2019-01-24 

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低壓MOS管 40N06B 38A/60V

低壓MOS管 40N06B的產品概述

RDS(on) = 14mωVDS = 60V

高單元密度溝槽技術

超低柵電荷

優異的Cdv/dt效應下降

100%EAS保證

可用的綠色設備


低壓MOS管 40N06B 38A/60V應用領域

用于MB/NB/UMPC/VGA的高頻負載

點負載同步降壓轉換器

網絡直流供電系統

LCD/LED


低壓MOS管 40N06B 38A/60V封裝

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低壓MOS管 40N06B 38A/60V參數詳情

型號:KIA40N06B

工作方式:38A/60V

漏源極電壓:60V

柵源電壓:±20

脈沖漏電流:80A

單脈沖雪崩能量:67MJ

雪崩電流:28A

總功耗:45W


低壓MOS管 40N06B電路特征

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低壓MOS管 40N06B附件

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聯系方式:鄒先生

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