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MOS管 KIA18N20A 18A/200V原廠專業(yè)制造 規(guī)格書/封裝/價格-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2019-04-03 

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MOS管,KIA18N20A,18A/200V

MOS管 KIA18N20A原廠

深圳市可易亞半導體科技有限公司(簡稱KIA半導體).是一家專業(yè)從事中、大、功率場效應管(MOSFET)、快速恢復二極管、三端穩(wěn)壓管開發(fā)設計,集研發(fā)、生產(chǎn)和銷售為一體的國家高新技術(shù)企業(yè)。


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KIA半導體,已經(jīng)擁有了獨立的研發(fā)中心,研發(fā)人員以來自韓國(臺灣)超一流團隊,可以快速根據(jù)客戶應用領(lǐng)域的個性來設計方案,同時引進多臺國外先進設備,業(yè)務含括功率器件的直流參數(shù)檢測、雪崩能量檢測、可靠性實驗、系統(tǒng)分析、失效分析等領(lǐng)域。


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KIA半導體的產(chǎn)品涵蓋工業(yè)、新能源、交通運輸、綠色照明四大領(lǐng)域,不僅包括光伏逆變及無人機、充電樁、這類新興能源,也涉及汽車配件、LED照明等家庭用品。KIA專注于產(chǎn)品的精細化與革新,力求為客戶提供最具行業(yè)領(lǐng)先、品質(zhì)上乘的科技產(chǎn)品。


MOS管 KIA18N20A產(chǎn)品特點

RDS(ON)=0.12Ω@VGS=10V

符合RoHS標準

低導通電阻

低柵電荷


MOS管 KIA18N20A應用領(lǐng)域

電視/監(jiān)視器

其他應用等


MOS管 KIA18N20A 18A/200V參數(shù)詳情

型號:KIA18N20A

工作方式:18A/200V

漏源電壓:200V

連續(xù)漏電流:18A

功耗:156W

25℃以上的降額系數(shù):1.25W/oC

柵源電壓:±30V

峰值二極管恢復dv/dt:5.0V/ns

漏源擊穿電壓:200V

前向傳導:18S

輸入電容:1140pF

輸出電容:180pF

反向轉(zhuǎn)移電容:25pF


MOS管 KIA18N20A封裝圖


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MOS管 KIA18N20A 18A/200V規(guī)格書

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聯(lián)系方式:鄒先生

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