MOS管專業制造 KIA24N50H 24A/500V規格書-免費送樣 供貨穩定-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2019-04-11
這種功率MOSFET是使用KIA半導體先進的平面條紋DMOS技術生產的。這種先進技術是特別定制，以最小化通態電阻，并提供優越的開關。其性能好，能承受雪崩和換向模式下的高能脈沖。這種功率MOSFET非常適合于高效率開關電源。
RDS(ON)=0.16Ω@VGS=10V
低柵電荷
高耐用性
快速切換
雪崩測試100%
提高了dv/dt能力
型號：KIA24N50H
工作方式：24A/500V
漏源電壓：500V
柵源電壓:±30V
脈沖漏電流:96A
峰值二極管恢復dv/dt:4.5V/ns
輸入電容：3500pF
輸出電容：520pF
反向轉移電容:55pF
漏源二極管正向電壓:1.5V
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