P型MOS管

P型MOS管概述

P型MOS管是指n型襯底、p溝道，靠空穴的流動運送電流的MOS管。金屬氧化物半導體場效應(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類， P溝道硅MOS場效應晶體管在N型硅襯底上有兩個P+區，分別叫做源極和漏極，兩極之間不通導，柵極上加有足夠的負電壓(源極接地)時，柵極下的N型硅表面呈現P型反型層，成為連接源極和漏極的溝道。改變柵壓可以改變溝道中的電子密度，從而改變溝道的電阻。這種MOS場效應晶體管稱為P溝道增強型場效應晶體管。

P型MOS管的種類

MOSFET共有三個腳，一般為G、D、S，通過G、S間加控制信號時可以改變D、S間的導通和截止。PMOS和NMOS在結構上完全相像，所不同的是襯底和源漏的摻雜類型。簡單地說，NMOS是在P型硅的襯底上，通過選擇摻雜形成N型的摻雜區，作為NMOS的源漏區；PMOS是在N型硅的襯底上，通過選擇摻雜形成P型的摻雜區，作為PMOS的源漏區。兩塊源漏摻雜區之間的距離稱為溝道長度L，而垂直于溝道長度的有效源漏區尺寸稱為溝道寬度W。對于這種簡單的結構，器件源漏是完全對稱的，只有在應用中根據源漏電流的流向才能最后確認具體的源和漏。

P型MOS管原理

PMOS的工作原理與NMOS相類似。因為PMOS是N型硅襯底，其中的多數載流子是空穴，少數載流子是電子，源漏區的摻雜類型是P型，所以，PMOS的工作條件是在柵上相對于源極施加負電壓，亦即在PMOS的柵上施加的是負電荷電子，而在襯底感應的是可運動的正電荷空穴和帶固定正電荷的耗盡層，不考慮二氧化硅中存在的電荷的影響，襯底中感應的正電荷數量就等于PMOS柵上的負電荷的數量。當達到強反型時，在相對于源端為負的漏源電壓的作用下，源端的正電荷空穴經過導通的P型溝道到達漏端，形成從源到漏的源漏電流。同樣地，VGS越負(絕對值越大)，溝道的導通電阻越小，電流的數值越大。

與NMOS一樣，導通的PMOS的工作區域也分為非飽和區，臨界飽和點和飽和區。當然，不論NMOS還是PMOS，當未形成反型溝道時，都處于截止區，其電壓條件是

VGS<VTN (NMOS)，

VGS>VTP (PMOS)，

值得注意的是，PMOS的VGS和VTP都是負值。

PMOS集成電路是一種適合在低速、低頻領域內應用的器件。PMOS集成電路采用-24V電壓供電。CMOS-PMOS接口電路采用兩種電源供電。采用直接接口方式，一般CMOS的電源電壓選擇在10～12V就能滿足PMOS對輸入電平的要求。

MOS場效應晶體管具有很高的輸入阻抗，在電路中便于直接耦合，容易制成規模大的集成電路。

P型MOS管型號大全

P型MOS管原廠

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增強P型MOS管開關條件

pmos管作為開關使用時，是由Vgs的電壓值來控制S（source源極）和 D（drain漏極）間的通斷。

Vgs的最小閥值電壓為：0.4v，也就是說當 S（source源極）電壓 — G（gate柵極）極    > 0.4V 時， 源極 和 漏極導通。

并且Vs = Vd ，S極電壓等于D極電壓。

例如：S極 為 3.3V，G極 為0.1V，則  Vgs = Vg  —  Vs = -3.2 pmos管導通，D極電壓為3.3V，一般pmos管當做開關使用的時，S極和D極之間幾乎沒有壓降。

在實際使用中，一般G極接MCU控制管腳，S極接電源正極VCC，D極接器件的輸入。實際使用中的一個樣例如下：

RF_CTRL為低電平的時候，RF_RXD 和 RF_TXD上的電壓為 VDD。

下面電路為P溝道MOS管用作電路切換開關使用電路：

電路分析如下：

pmos的開啟條件是VGS電壓為負壓，并且電壓的絕對值大于最低開啟電壓，一般小功率的PMOS管的最小開啟電壓為0.7V左右，假設電池充滿電，電壓為4.2V,VGS=-4.2V，PMOS是導通的，電路是沒有問題的。當5V電壓時，G極的電壓為5V，S極的電壓為5VV-二極管壓降（0.5左右）=4.5V，PMOS管關段，當沒有5V電壓時，G極電壓下拉為0V，S極的電壓為電池電壓（假設電池充滿電4.2V）-MOS管未導通二極管壓降（0.5V）=3.7，這樣PMOS就導通，二極管壓降就沒有了這樣VGS=-4.2V.PMOS管導通對負載供電。

在這里用一個肖特基二極管（SS12）也可以解決這個問題，不過就是有0.3V左右的電壓降。這里使用PMOS管，PMOS管完全導通，內阻比較小，優與肖特基，幾乎沒有壓降。不過下拉電阻使用的有點大，驅動PMOS不需要電流的，只要電壓達到就可以了，可以使用大電阻，減少工作電流，推薦使用10K-100K左右的電阻。

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