600V-700V MOS管型號參數(shù) 封裝-MOS管原裝正品免費送樣-KIA MOS管

信息來源：本站　日期：2019-08-30　

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600V-700V MOS管型號參數(shù) 封裝-MOS管原裝正品免費送樣

MOS管的主要參數(shù)有哪些？

(1) 開啟電壓VT ：在VDS為一固定數(shù)值時，能產(chǎn)生ID所需要的最小 |VGS | 值。(增強)

(2) 夾斷電壓VP ：在VDS為一固定數(shù)值時，使 ID對應一微小電流時的 |VGS | 值。(耗盡)

(3) 飽和漏極電流IDSS ：在VGS = 0時，管子發(fā)生預夾斷時的漏極電流。(耗盡)

(4) 極間電容：漏源電容CDS約為 0.1～1pF，柵源電容CGS和柵漏極電容CGD約為1～3pF。

(5) 低頻跨導 gm ：表示VGS對iD的控制作用。在轉移特性曲線上，gm 是曲線在某點上的斜率，也可由iD的表達式求導得出，單位為 S 或 mS。

(6) 最大漏極電流 IDM

(7) 最大漏極耗散功率 PDM

(8) 漏源擊穿電壓 V(BR)DS 柵源擊穿電壓 V(BR)GS

MOS管的作用

1、可應用于放大電路。由于MOS管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。

2、很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。

3、可以用作可變電阻。

4、可以方便地用作恒流源。

5、可以用作電子開關。

MOS管為壓控元件，你只要加到它的壓控元件所需電壓就能使它導通，它的導通就像三極管在飽和狀態(tài)一樣，導通結的壓降最小。這就是常說的精典是開關作用。去掉這個控制電壓經(jīng)就截止。

我們知道MOS管對于整個供電系統(tǒng)起著穩(wěn)壓的作用，但是MOS管不能單獨使用，它必須和電感線圈、電容等共同組成的濾波穩(wěn)壓電路，才能發(fā)揮充分它的優(yōu)勢。

接下來我們了解一下KIA半導體600V-700V的MOS管型號、封裝、參數(shù)。

600V-700V MOS管原廠

深圳市可易亞半導體科技有限公司.是一家專業(yè)從事中、大、功率場效應管(MOSFET)、快速恢復二極管、三端穩(wěn)壓管開發(fā)設計，集研發(fā)、生產(chǎn)和銷售為一體的國家高新技術企業(yè)。

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KIA半導體已經(jīng)有強大的研發(fā)平臺，使得KIA在工藝制造、產(chǎn)品設計方面擁有知識產(chǎn)權35項，并掌握多項場效應管核心制造技術。自主研發(fā)已經(jīng)成為了企業(yè)的核心競爭力。

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KIA專注于產(chǎn)品的精細化與革新，力求為客戶提供最具行業(yè)領先、品質上乘的科技產(chǎn)品。

從設計研發(fā)到制造再到倉儲物流，KIA半導體真正實現(xiàn)了一體化的服務鏈，真正做到了服務細節(jié)全到位的品牌內(nèi)涵，我們致力于成為場效應管（MOSFET）功率器件領域的領跑者，為了這個目標，KIA半導體正在持續(xù)創(chuàng)新，永不止步！

600V-700V,MOS管

600V-700V MOS管選型

以下是600V-700V MOS管選型，如需了解更多型號或其他產(chǎn)品，請聯(lián)系我們！我們將竭誠為您服務！

Part Number	ID（A）	BVDSS（v）	Typical RDS(ON)@60% ID（Ω）	MAX RDS(ON)@60% ID（Ω）	ciss
Part Number	ID（A）	BVDSS（v）	Typical RDS(ON)@60% ID（Ω）	MAX RDS(ON)@60% ID（Ω）	pF
KNX4365A	4	650	2	2.5	523
KIA7N65H	7	650	1.2	1.4	1000
KNX4665B	7	650	1.1	1.4	1048
KNX4665A	7.5	650	1.1	1.4	970
KIA10N65H	10	650	0.65	0.75	1650
KNX6165A	10	650	0.6	0.9	1554
KIA12N65H	12	650	0.63	0.75	1850
KIA6N70H	5.8	700	1.8	2.3	650
KNX4360A	4	600	1.9	2.3	511
KIA5N60E	4.5	600	2	2.5	780
KNX4660A	7	600	1	1.25	1120
KNX4760A	8	600	0.85	1.1	1250
KIA10N60H	9.5	600	0.6	0.73	1570
KIA12N60H	12	600	0.53	0.65	1850
KNX7160A	20	600	0.35	0.45	2800