功率MOSFET-功率MOSFET全方位分析詳解-MOS管技術知識

功率MOSFET概述

功率MOS場效應晶體管，即MOSFET，其原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導體），FET（Field Effect Transistor場效應晶體管），即以金屬層（M）的柵極隔著氧化層（O）利用電場的效應來控制半導體（S）的場效應晶體管。

功率MOSFET分析
（一）功率MOSFET的正向導通等效電路

(1)等效電路

(2)說明：

功率 MOSFET 正向導通時可用一電阻等效，該電阻與溫度有關，溫度升高，該電阻變大;它還與門極驅動電壓的大小有關，驅動電壓升高，該電阻變小。詳細的關系曲線可從制造商的手冊中獲得。

（二）功率MOSFET的反向導通等效電路(1)

(1)等效電路(門極不加控制)

(2)說明：

即內部二極管的等效電路，可用一電壓降等效，此二極管為MOSFET 的體二極管，多數情況下，因其特性很差，要避免使用。

（三）功率MOSFET的反向導通等效電路(2)

(1)等效電路(門極加控制)

(2)說明：

功率 MOSFET 在門級控制下的反向導通，也可用一電阻等效，該電阻與溫度有關，溫度升高，該電阻變大;它還與門極驅動電壓的大小有關，驅動電壓升高，該電阻變小。詳細的關系曲線可從制造商的手冊中獲得。此工作狀態稱為MOSFET 的同步整流工作，是低壓大電流輸出開關電源中非常重要的一種工作狀態。

（四）功率MOSFET的正向截止等效電路

(1)等效電路

(2)說明：

功率 MOSFET 正向截止時可用一電容等效，其容量與所加的正向電壓、環境溫度等有關，大小可從制造商的手冊中獲得。

（五）功率MOSFET的穩態特性總結

(1)功率MOSFET 穩態時的電流/電壓曲線

(2)說明：

功率 MOSFET 正向飽和導通時的穩態工作點：

當門極不加控制時，其反向導通的穩態工作點同二極管。

(3)穩態特性總結：

1、門極與源極間的電壓Vgs 控制器件的導通狀態;當VgsVth時，器件處于導通狀態;器件的通態電阻與Vgs有關，Vgs大，通態電阻小;多數器件的Vgs為 12V-15V ，額定值為+-30V;

2、器件的漏極電流額定是用它的有效值或平均值來標稱的;只要實際的漏極電流有效值沒有超過其額定值，保證散熱沒問題，則器件就是安全的;

3、器件的通態電阻呈正溫度系數，故原理上很容易并聯擴容，但實際并聯時，還要考慮驅動的對稱性和動態均流問題;

4、目前的 Logic-Level的功率 MOSFET，其Vgs只要 5V，便可保證漏源通態電阻很小;

5、器件的同步整流工作狀態已變得愈來愈廣泛，原因是它的通態電阻非常小(目前最小的為2-4 毫歐)，在低壓大電流輸出的DC/DC 中已是最關鍵的器件;

（六）包含寄生參數的功率MOSFET等效電路

(1)等效電路

(2)說明：

實際的功率MOSFET 可用三個結電容，三個溝道電阻，和一個內部二極管及一個理想MOSFET 來等效。三個結電容均與結電壓的大小有關，而門極的溝道電阻一般很小，漏極和源極的兩個溝道電阻之和即為MOSFET 飽和時的通態電阻。

（七）功率MOSFET的開通和關斷過程原理

(1)開通和關斷過程實驗電路

(2)MOSFET 的電壓和電流波形：

(3)開關過程原理：

開通過程[t0 ~ t4]：

1、在 t0 前，MOSFET 工作于截止狀態，t0 時，MOSFET 被驅動開通;

2、[t0-t1]區間，MOSFET 的GS 電壓經Vgg 對Cgs充電而上升，在t1時刻，到達維持電壓Vth，MOSFET 開始導電;

3、[t1-t2]區間，MOSFET 的DS 電流增加，Millier 電容在該區間內因DS 電容的放電而放電，對GS 電容的充電影響不大;

4、[t2-t3]區間，至t2 時刻，MOSFET 的DS 電壓降至與Vgs 相同的電壓，Millier 電容大大增加，外部驅動電壓對Millier 電容進行充電，GS 電容的電壓不變，Millier 電容上電壓增加，而DS電容上的電壓繼續減小;

5、[t3-t4]區間，至t3 時刻，MOSFET 的DS 電壓降至飽和導通時的電壓，Millier 電容變小并和GS 電容一起由外部驅動電壓充電，GS 電容的電壓上升，至t4 時刻為止。此時GS 電容電壓已達穩態，DS 電壓也達最小，即穩定的通態壓降。

關斷過程[ t5 ~t9 ]：

1、在 t5 前，MOSFET 工作于導通狀態， t5 時，MOSFET 被驅動關斷;

2、[t5-t6]區間，MOSFET 的Cgs 電壓經驅動電路電阻放電而下降，在t6 時刻，MOSFET 的通態電阻微微上升，DS 電壓梢稍增加，但DS 電流不變;

3、[t6-t7]區間，在t6 時刻，MOSFET 的Millier 電容又變得很大，故GS 電容的電壓不變，放電電流流過Millier 電容，使DS 電壓繼續增加;

4、[t7-t8]區間，至t7 時刻，MOSFET 的DS 電壓升至與Vgs 相同的電壓，Millier 電容迅速減小，GS 電容開始繼續放電，此時DS 電容上的電壓迅速上升，DS 電流則迅速下降;

5、[t8-t9]區間，至t8 時刻，GS 電容已放電至Vth，MOSFET 完全關斷;該區間內GS 電容繼續放電直至零。

（八）因二極管反向恢復引起的MOSFET開關波形

(1)實驗電路

(2)因二極管反向恢復引起的MOSFET開關波形：

（九）功率MOSFET的功率損耗公式

(1)導通損耗：

該公式對控制整流和同步整流均適用

該公式在體二極管導通時適用

(2)容性開通和感性關斷損耗：

為MOSFET 器件與二極管回路中的所有分布電感只和。一般也可將這個損耗看成器件的感性關斷損耗。

(3)開關損耗：

開通損耗：

考慮二極管反向恢復后：

（十）功率MOSFET的選擇原則與步驟

(1)選擇原則

(A)根據電源規格，合理選擇MOSFET 器件(見下表)：

(B)選擇時，如工作電流較大，則在相同的器件額定參數下，

應盡可能選擇正向導通電阻小的 MOSFET;

應盡可能選擇結電容小的 MOSFET。

(2)選擇步驟

(A)根據電源規格，計算所選變換器中MOSFET 的穩態參數：

正向阻斷電壓最大值;

最大的正向電流有效值;

(B)從器件商的DATASHEET 中選擇合適的MOSFET，可多選一些以便實驗時比較;

(C)從所選的MOSFET 的其它參數，如正向通態電阻，結電容等等，估算其工作時的最大損耗，與其它元器件的損耗一起，估算變換器的效率;

(D)由實驗選擇最終的MOSFET器件。

（十一）開關器件的分類

(1)按制作材料分類：

1、(Si)功率器件;

2、(Ga)功率器件;

3、(GaAs)功率器件;

4、(SiC)功率器件;

5、(GaN)功率器件;

6、(Diamond)功率器件;

(2)按是否可控分類：

1、完全不控器件：如二極管器件;

2、可控制開通，但不能控制關斷：如普通可控硅器件;

3、全控開關器件

4、電壓型控制器件：如MOSFET，IGBT，IGT/COMFET ，SIT 等;

5、電流型控制期間：如GTR，GTO 等

(3)按工作頻率分類：

1、低頻功率器件：如可控硅，普通二極管等;

2、中頻功率器件：如GTR，IGBT，IGT/COMFET;

3、高頻功率器件：如MOSFET，快恢復二極管，蕭特基二極管，SIT等

(4)按額定可實現的最大容量分類：

1、小功率器件：如MOSFET

2、中功率器件：如IGBT

3、大功率器件：如GTO

(5)：按導電載波的粒子分類：

1、多子器件：如MOSFET，蕭特基，SIT,JFET 等

2、少子器件：如IGBT，GTR，GTO，快恢復，等

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