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LED電源發熱燒壞MOS管五大技術點分析

信息來源：本站　日期：2017-06-06　

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1、芯片發熱

本次內容主要針對內置電源調制器的高壓驅動芯片。假定芯片耗費的電流為2mA，300V的電壓加在芯片上面，芯片的功耗為0.6W，當然會惹起芯片的發熱。驅動MOS管芯片的最大電流來自于驅動功率MOS管的耗費，簡單的計算公式為I=cvf（思索充電的電阻效益，理論I=2cvf，其中c為功率MOS管的cgs電容，v為功率管導通時的gate電壓，所以為了降低芯片的功耗，必需想方法降低c、v和f.假定c、v和f不能改動，那么請想方法將芯片的功耗分到芯片外的器件，留意不要引入額外的功耗。再簡單一點，就是思索更好的散熱吧。

2、功率管發熱

關于這個問題，也見到過有人在電源網論壇發過貼。功率管的功耗分紅兩局部，開關損耗和導通損耗。要留意，大多數場所特別是LED市電驅動應用，開關損傷要遠大于導通損耗。開關損耗與功率管的cgd和cgs以及芯片的驅動才干和工作頻率有關，所以要處置功率管的發熱能夠從以下幾個方面處置：
A、不能片面依據導通電阻大小來選擇MOS功率管，由于內阻越小，cgs和cgd電容越大。如1N60的cgs為250pF左右，2N60的cgs為350pF左右，5N60的cgs為1200pF左右，差異太大了，選擇功率管時，夠用就能夠了。

B、剩下的就是頻率和芯片驅動才干了，這里只談頻率的影響。頻率與導通損耗也成正比，所以功率管發熱時，首先要想想是不是頻率選擇的有點高。想方法降低頻率吧！不過要留意，當頻率降低時，為了得到相同的負載才干，峰值電流必然要變大或者電感也變大，這都有可能招致電感進入飽和區域。假定電感飽和電流夠大，能夠思索將CCM（連續電流方式）改動成DCM（非連續電流方式），這樣就需求增加一個負載電容了。

3、工作頻率降頻

這個也是用戶在調試過程中比擬常見的現象，降頻主要由兩個方面招致。輸入電壓和負載電壓的比例小、系統干擾大。關于前者，留意不要將負載電壓設置的太高，固然負載電壓高，效率會高點。關于后者，能夠嘗試以下幾個方面：a、將最小電流設置的再小點;b、布線潔凈點，特別是sense這個關鍵途徑;c、將電感選擇的小點或者選用閉合磁路的電感;d、加RC低通濾波吧，這個影響有點不好，C的分歧性不好，傾向有點大，不過關于照明來說應該夠了。無論如何降頻沒有益處，只需害處，所以一定要處置。

4、電感或者變壓器的選擇

終于談到重點了，我還沒有入門，只能瞎說點飽和的影響了。很多用戶反響，相同的驅動電路，用a消費的電感沒有問題，用b消費的電感電流就變小了。遇到這種狀況，要看看電感電流波形。有的工程師沒有留意到這個現象，直接調理sense電阻或者工作頻率抵達需求的電流，這樣做可能會嚴重影響LED的運用壽命。所以說，在設計前，合理的計算是必需的，假定理論計算的參數和調試參數差的有點遠，要思索能否降頻和變壓器能否飽和。變壓器飽和時，L會變小，招致傳輸delay惹起的峰值電流增量急劇上升，那么LED的峰值電流也跟著增加。在均勻電流不變的前提下，只能看著光衰了。

5、LED電流大小
大家都曉得LEDripple過大的話，LED壽命會遭到影響，影響有多大，也沒見過哪個專家說過。以前問過LED廠這個數據，他們說30%以內都能夠承受，不過后來沒有經過考證。倡議還是盡量控制小點。假定散熱處置的不好的話，LED一定要降額運用。也希望有專家能給個細致指標，要不然影響LED的推行。