小尺寸MOS器件模型/MOS器件模型KIA-MO管
信息來源：本站 日期：2020-12-29
縮小MOS器件的尺寸是推進LSI技術發展的關鍵因素初期的MOs器件都是大尺寸的(10m左右),因而習慣上有套適用它們的物理模型和計算方法,所得的結果與大尺寸器件的實測特性相符合。
這種模型和計算方法叫做逐次溝道近似(Gradual Channel Approximation),簡稱為GCA。但是,它對
vLS中的小尺寸器件不適用,必須進行修正本章將闡明MOS小尺寸器件的各種物理效應(包括一級和
級效應),并對GCA作相應的各項修正。小尺寸MOs器件是VLSI中最基本的元件,必須了解其基本的
物理和電學特性,建立起符合實際且較簡便的計算模型公式,這是正確進行計算機電路模擬的基礎,
也是進行VLSI設計計算的基本工具。實際上,計算機電路模擬的精度很大程度上決定于器件模型的
精度。因此,建立一個較精確的、而且便于計算的器件模型對VLSI設計是至關重要的,這也是本書
首先介紹器件模型的原因同時,由于目前國際上普遍使用美國加州大學伯克利(Berkele)分校開發的、
SPICE電路模擬程序,所以我們也將結合它給出的小尺寸MOS器件模型進行一定的介紹及分析討論,
并指出它的不足,以利于那些用該程序的VLSI設計者對它有較正確的認識。
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