MOS管緩啟動(dòng)電路原理詳解分享-KIA MOS管

MOS管緩啟動(dòng)電路原理

MOS管緩啟動(dòng)電路：盡管MOSFEI在開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)控制等一些電子系統(tǒng)中得到廣泛的應(yīng)用，但是許多電子工程師并沒(méi)有;十分清楚的理解MOSFET開(kāi)關(guān)過(guò)程，以及MOSFET在開(kāi)關(guān)過(guò)程中所處的狀態(tài)。

一般來(lái)說(shuō)，電子工程師通常基于柵極電荷理解MOSFET的開(kāi)通的過(guò)程，如圖1所示。此圖在MOSFET數(shù)據(jù)表中可以查到。

MOSFET的D和S極加電壓為VDD,當(dāng)驅(qū)動(dòng)開(kāi)通脈沖加到MOSFET的G和S極時(shí)，輸入電容Ciss充電，G和S極電壓Vgs線性上升并到達(dá)門檻電壓VGS(th)，Vgs上升到VGS(th)之前漏極電流Id≈0A，沒(méi)有漏極電流流過(guò)，Vds 的電壓保持VDD不變。

當(dāng)Vgs到達(dá)VGS(th)時(shí)，漏極開(kāi)始流過(guò)電流Id，然后Vgs繼續(xù)上升，Id 也逐漸上升，Vds 仍然保持VDD。當(dāng)Vgs到達(dá)米勒平臺(tái)電壓VGS(p1)時(shí)，Id也上升到負(fù)載電流最大值ID,Vds的電壓開(kāi)始從VDD下降。

米勒平臺(tái)期間，Id電流維持ID，Vds電壓不斷降低。米勒平臺(tái)結(jié)束時(shí)刻，Id電流仍然維持ID, Vds 電壓降低到一個(gè)較低的值。米勒平臺(tái)結(jié)束后，Id電流仍然維持ID, Vds 電壓繼續(xù)降低，但此時(shí)降低的斜率很小，因此降低的幅度也很小，最后穩(wěn)定在Vds=IdxRds(on)。

因此通常可以認(rèn)為米勒平臺(tái)結(jié)束后MOSFET基本上已經(jīng)導(dǎo)通。對(duì)于上述的過(guò)程，理解難點(diǎn)在于為什么在米勒平臺(tái)區(qū)，Vgs 的電壓恒定?驅(qū)動(dòng)電路仍然對(duì)柵極提供驅(qū)動(dòng)電流，仍然對(duì)柵極電容充電，為什么柵極的電壓不上升?

而且柵極電荷特性對(duì)于形象的理解MOSFET的開(kāi)通過(guò)程并不直觀。因此，下面將基于漏極導(dǎo)通特性理解MOSFET開(kāi)通過(guò)程。

MOS管緩啟動(dòng)電路：MOSFET的漏極導(dǎo)通特性與開(kāi)關(guān)過(guò)程MOSFET的漏極導(dǎo)通特性如圖2所示。MOSFET與三極管一樣，當(dāng)MOSFET應(yīng)用于放大電路時(shí)，通常要使用此曲線研究其放大特性。只是三極管使用的基極電流、集電極電流和放大倍數(shù)，而MOSFET使用柵極電壓、漏極電流和跨導(dǎo)。

三極管有三個(gè)工作區(qū):截止區(qū)、放大區(qū)和飽和區(qū)，MOSFET對(duì)應(yīng)是關(guān)斷區(qū)、恒流區(qū)和可變電阻區(qū)。

注意:MOSFET恒流區(qū)有時(shí)也稱飽和區(qū)或放大區(qū)。當(dāng)驅(qū)動(dòng)開(kāi)通脈沖加到MOSFET的G和S極時(shí)，Vgs的電壓逐漸升高時(shí)，MOSFET的開(kāi)通軌跡A-B-C-D如圖3中的路線所示。

開(kāi)通前，MOSFET起始工作點(diǎn)位于圖3的右下角A點(diǎn)，AOT460的VDD電壓為48V，Vgs的電壓逐漸升高，Id電流為0, Vgs的電壓達(dá)到VGS(th)，Id 電流從0開(kāi)始逐漸增大。

A-B就是Vgs的電壓從VGS(th)增加到VGS(p1)的過(guò)程。從A到B點(diǎn)的過(guò)程中，可以非常直觀的發(fā)現(xiàn)，此過(guò)程工作于MOSFET的恒流區(qū)，也就是Vgs電壓和Id電流自動(dòng)找平衡的過(guò)程，即Vgs電壓的變化伴隨著Id電流相應(yīng)的變化，其變化關(guān)系就是MOSFET的跨導(dǎo): Gfs=Id/Vgs， 跨導(dǎo)可以在MOSFET數(shù)據(jù)表中查到。

當(dāng)Id電流達(dá)到負(fù)載的最大允許電流ID時(shí)，此時(shí)對(duì)應(yīng)的柵級(jí)電壓Vgs(p1)ID/gFS。由于此時(shí)Id電流恒定，因此柵極Vgs電壓也恒定不變，見(jiàn)圖3中的B-C,此時(shí)MOSFET處于相對(duì)穩(wěn)定的恒流區(qū)，工作于放大器的狀態(tài)。

開(kāi)通前，Vgd的電壓為Vgs-Vds,為負(fù)壓，進(jìn)入米勒平臺(tái)，Vgd的負(fù)電壓絕對(duì)值不斷下降，過(guò)0后轉(zhuǎn)為正電壓。驅(qū)動(dòng)電路的電流絕大部分流過(guò)CGD,以掃除米勒電容的電荷，因此柵極的電壓基本維持不變。

Vds電壓降低到很低的值后，米勒電容的電荷基本上被掃除，即圖3中的C點(diǎn)，于是，柵極的電壓在驅(qū)動(dòng)電流的充電下又開(kāi)始升高，如圖3中的C-D,使MOSFET進(jìn)一步完全導(dǎo)通。

C-D為可變電阻區(qū)，相應(yīng)的Vgs電壓對(duì)應(yīng)著一定的Vds電壓。Vgs電壓達(dá)到最大值，Vds 電壓達(dá)到最小值，由于Id電流為ID恒定，因此Vds的電壓即為ID和MOSFET的導(dǎo)通電阻的乘積。

基于MOSFET的漏極導(dǎo)通特性曲線可以直觀的理解MOSFET開(kāi)通時(shí)，跨越關(guān)斷區(qū)、恒流區(qū)和可變電阻區(qū)的過(guò)程。米勒平臺(tái)即為恒流區(qū)，MOSFETI作于放大狀態(tài)，Id電流為Vgs電壓和跨導(dǎo)乘積。

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