模擬電子電路基礎(chǔ)--場(chǎng)效應(yīng)管解析-KIA MOS管

模擬電子電路基礎(chǔ)--場(chǎng)效應(yīng)管

場(chǎng)效應(yīng)管，是電壓控制器件，不吸收信號(hào)源電流，不消耗信號(hào)源功率，輸入阻抗高，溫度特性好，抗干擾能力強(qiáng)，便于集成。

JFET利用耗盡區(qū)的寬度改變導(dǎo)電溝道的寬窄來控制漏極電流；MOSFET則利用半導(dǎo)體表面的電場(chǎng)效應(yīng)，由感應(yīng)電荷的多少改變導(dǎo)電溝道來控制電流。

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的分類：N溝道，P溝道。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理（N溝道）：加上反向電壓UDS，則源極和漏極之間形成電流ID，通過改變UGS，就可以改變兩個(gè)PN結(jié)阻擋層的寬度，這樣就改變了溝道電阻，于是改變了漏極電流ID。

場(chǎng)效應(yīng)管，模擬電子電路

（1）柵源間電壓VGS對(duì)ID的控制

場(chǎng)效應(yīng)管，模擬電子電路

綠色部分為耗盡層，當(dāng)漏源間短路，柵源間外加負(fù)向電壓ＶGS時(shí)，結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管中的兩個(gè)PN結(jié)均處反偏狀態(tài)。如圖（b）所示。

隨著VGS負(fù)向增大，加在PN結(jié)上的反向偏置電壓增大，則耗盡層加寬。由于N溝道摻雜濃度較低，故耗盡層主要集中在溝道一側(cè)。耗盡層加寬，使得溝道變窄，溝道電阻增大，如圖（b）所示。

當(dāng)VGS負(fù)向增大到某一值后，結(jié)兩側(cè)的耗盡層向內(nèi)擴(kuò)展到彼此相遇，溝道被完全夾斷，此時(shí)漏源間的電阻將趨于無窮大，如圖（c）所示。相應(yīng)于此時(shí)的漏源間電壓VGS稱為夾斷電壓，用VGS(off)表示。

（2）漏源電壓ＶDS對(duì)溝道的影響

場(chǎng)效應(yīng)管，模擬電子電路

當(dāng)VGS>VGS(off)且為某一定值，如果在漏源間加上正向電壓VDS，VDS將在溝道中產(chǎn)生自漏極指向源極的電場(chǎng)，該電場(chǎng)使得N溝道中的多數(shù)載流子電子沿著溝道從源極漂移到漏極形成漏極電流ID。

由于導(dǎo)電溝道存在電阻，ID流經(jīng)溝道產(chǎn)生壓降，使得溝道中各點(diǎn)的電位不再相等，結(jié)果使耗盡區(qū)從漏極到源極逐漸變窄，呈楔形分布，如圖（a）所示。

隨著VDS的增大，ID增大，溝道不等寬的現(xiàn)象變得明顯，當(dāng)VDS增大到某一值時(shí)，近漏端的兩個(gè)耗盡區(qū)相遇，這種情況稱為預(yù)夾斷，如圖（b）所示。

繼續(xù)增大VDS，夾斷點(diǎn)將向源極方向延伸，近漏端出現(xiàn)夾斷區(qū)，如圖（c）所示。

由于柵極到夾斷點(diǎn)A之間的反向電壓VGA不變，恒為VGS(off)，因此夾斷點(diǎn)到源極之間的電壓也就恒為VGS-VGS(off)，而VDS的增加部分將全部加在漏極與夾斷點(diǎn)之間的夾斷區(qū)上，形成較強(qiáng)的電場(chǎng)。

在這種情況下，從漏極向夾斷點(diǎn)行進(jìn)的多子自由電子，一旦到達(dá)夾斷點(diǎn)就會(huì)被夾斷區(qū)的電場(chǎng)漂移到漏極，形成漏極電流。

一般情況下，夾斷區(qū)僅占溝道長(zhǎng)度的很小部分，因此VDS的增大而引起夾斷點(diǎn)的移動(dòng)可忽略，夾斷點(diǎn)到源極間的溝道長(zhǎng)度可以認(rèn)為近似不變，同時(shí)，夾斷點(diǎn)到源極間的電壓又為一定值，所以可近似認(rèn)為ID是不隨VDS而變化的恒值。

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的特性曲線

場(chǎng)效應(yīng)管，模擬電子電路