MOS管選型要求？PMOS與NMOS的柵極解決方法
信息來源：本站 日期：2017-07-05
一、阱構成技術
在CMOS中，阱可為單阱(single well)、雙阱(twin well)或是倒退阱(retrograde well).雙阱工藝有一些缺陷，如需高溫工藝（超越1 050℃）及長擴散時間（超越8h）來到達所需2μm~31'm的深度，在這個工藝中，外表的摻雜濃度是最高的，摻雜濃度隨著深度遞加，為了降低工藝溫度和時間，可應用高能量的離子注入將離子直接注入到想要的深度而不需經過外表擴散，如此一來，深度由離子注入的能量米決議，因而我們可用不同的注入能景來設計不同深度的阱．在這個工藝中，阱的摻雜散布峰值將位于硅襯底中的某個深度，因此被稱為倒退阱，圖14. 25顯現在倒退阱與普通傳統熱擴散阱中摻雜散布的比擬，關于n型倒退阱與p型倒退阱而言，所需的能嚴分別為700keV及400keV.如前所提，高能離子注入的優點在于叮在低溫及短時間的條件下構成阱，故可降低橫向擴散及增加器件密度．倒退阱優于傳統阱的中央有：①由于在底部的高摻雜濃度，倒退阱的阻值較傳統阱低，所以能夠將閂鎖問題降至最低；②溝道阻斷可與倒退阱的離子注入同時構成，減少工藝步驟與時間；③在底部較高的阱摻雜能夠降低源極與漏極產生穿通（punch-rhrough，或譯貫串、碰透）的幾率.
二、先進隔離技術
傳統的隔離工藝（14，3，l節）有一些缺陷，使得其不合適用于深亞微米（小于o．25μ.m）工藝，硅的高溫氧化與長氧化時間形成用于溝道阻斷的注入離子（對n-MOSFET而言，通常為硼）侵入有源區域( active region)并招致VT偏移．因而，橫向氧化會招致有源器件區域的面積減小，此外，在亞微米隔離的距離中，場氧化層的厚度明顯小于生長在寬距離中的場氧化層，溝槽隔離技術能夠防止這些問題，且已成為隔離的主流技術，圖14. 26顯現構成一深（大于3μm）而窄（小于2μm）的溝槽隔離技術的工藝次第，其包含四個步驟：開出圖形、刻蝕硅襯底、填充介電資料（如二氧化硅或無摻雜的多晶硅）及平整化，深溝槽隔離可用于先進CMOS與雙極型器件及溝槽式DRAM.由于隔離資料是應用CVD淀積，所以不需求長時間或高溫工藝，且能夠消弭橫向氧化和硼侵入( boron encroachment)的問題．
另一個例子為圖14. 27所示用于CMOS的淺溝槽隔離(shallow trench isolation)（深度小于lμm）．在定義出圖形后（圖14。27(a），刻蝕出溝槽區域[圖14. 27(b》，接著重新填入氧化層[圖14.27(C)]．在重新填人氧化層之前，可先停止用于溝道阻斷的離子注入，填入的氧化層高過溝槽，位于氮化硅上的氧化層應被除去，化學機械拋光( chemical-mechanicalpolishing，CMP)用來去除位于氮化硅上的氧化層以得到平整的外表[圖14.27(d)]．由于氮化硅關于拋光具有高抵御性，所以氮化硅可當作CMP工藝中的掩蔽層，在拋光后，氮化硅和氧化層分別可用磷酸及氫氟酸去除．這個在一開端的平整化步驟，將有助于接下來定義出多晶硅的圖形及多層金屬連線工藝的平整化.
三、柵極工程技術
假如我們用n+多晶硅作為PMOS與NMOS的柵極，PMOS的閾值電壓(vTP≈-o．5V~-1．OV)必需用硼離子注入來調整，這會使得PMOS的溝道變為埋藏式(buried chan-nel)，如圖14. 28(a)所示，當器件尺寸減少至o．25μm以下時，埋藏式PMOS將會遭遇很嚴重的短溝道效應(short channel effect).最值得留意的是短溝道效應有v，下跌、漏場感應的勢壘降落(drain-induced barrier lowering，DIBL)及在關閉狀態時大的漏電流，致使于即便柵極電壓為零，也有漏電流經過源極與漏極．為處理這個問題，關于PMOS而言，可用p、多晶硅來取代n+多晶硅，由于功函數(work function)的差別（n+多晶硅與p、多晶硅有1．OeV的差別），外表p型溝道器件并不需求調整VT的硼離子注入，因而，當技術縮至o．25J'm以下，需求采用雙柵極構造( dual-gate)，即p+多晶硅用于PMOS，n+多晶硅用于NMOS[圖14. 28(b》．外表溝道與埋藏溝道的Vl，比擬如圖14. 29所示，能夠留意到在深亞微米時，外表溝道器件的Vr下跌比埋藏溝道器件來得遲緩，這表示具有p+多晶硅的外表溝道器件，很合適用于深亞微米器件的工作，為了構成p’多晶硅柵極，通常用BFz、的離子注入，但是，在高溫時硼很容易由多晶硅穿過薄氧化層抵達硅襯底而形成Vr偏移．此外，氟原子的存在會增加硼的穿透．有幾種辦法能夠降低這個效應：運用快速退火(rapid thermal annealing)以減少高溫的時間而降低硼的擴散，運用氮化的二氧化硅層(nitrided oxide)以抑止硼的穿透（由于硼能夠很容易與氮分離而變得較不易挪動）；制造多層的多晶硅，應用層與層間的界面去捕捉硼原子.
聯系方式：鄒先生
聯系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市福田區車公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1
關注KIA半導體工程專輯請搜微信號:“KIA半導體”或點擊本文下方圖片掃一掃進入官方微信“關注”
長按二維碼識別關注
