4.8A30V場效應管 MOS管KIA3400價格 資料 SOT-23封裝-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2022-04-01
KIA半導體多年來一直堅持創(chuàng)新技術，專注自主研發(fā)及制造MOS管，引進多臺國外先進設備，業(yè)務含括功率器件的直流參數檢測、雪崩能量檢測、可靠性實驗、系統(tǒng)分析、失效分析等領域。強大的研發(fā)平臺，使得KIA在工藝制造、產品設計方面擁有知識產權35項，并掌握多項場效應管核心制造技術。
KIA3400采用先進的溝槽技術，提供出色的RDS（on），低柵極電荷并在低至2.5V的柵極電壓下運行。該裝置適用于負載開關或PWM應用。標準產品KIA3400是無鉛的（符合ROHS和Sony 259規(guī)范）。KIA3400是一款綠色產品訂購選項。KIA3400在電氣上是相同的。
VDS(V)=30V
RDS(on)<40mΩ(VGS=10V,ID=4.8A)
RDS(on)<42mΩ(VGS=4.5V,ID=4.0A)
RDS(on)<55mΩ(VGS=2.5V,ID=3.5A)
型號：KIA3400
漏源電壓：30V
柵源電壓：±12V
持續(xù)漏電流：4.8A
脈沖漏極電流:30A
結溫和儲存溫度范圍:-55℃-150℃
漏源擊穿電壓：30V
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