MOS的集成：CMOS、BICMOS/BIMOS、HV-CMOS這幾個型號是有什么區(qū)別
信息來源：本站 日期：2017-07-31
MOS的集成 :CMOS，BiCMOS/BiMOS,HV-CMOS
CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Transistor，互補型金屬氧化物半導體)器件是目前比擬成熟的半導休集成下藝之一，能夠了解為集成電路中的橫向構(gòu)造MOSFET，為了進步開關(guān)速度，降低功耗，采用一個N溝道(NMOS)和一個P溝道(PMOS)的互補構(gòu)造作為一個MOSFET來運用(圖1. 30)。CMOS的這種構(gòu)造互補構(gòu)造組成的電路方式在集成電路中應用比擬廣泛，也不只限于FET，BJT也能夠，這種電路方式也稱為圖騰柱。與CMOS有關(guān)的公開材料相當豐厚，中文材料也是如此，這里不再贅述。
CMOS曾經(jīng)普遍用于RAM和ROM中，直到目前，CMOS依然是最為省電的數(shù)字邏輯電路，也被以為是最為地道的邏輯電路，在請求性價比的應用中，F(xiàn)lash ROM和BiCMOS逐步取代了CMOS。換言之，在很多應用中，假如本錢不是問題，CMOS的優(yōu)勢依然不可替代，CMOS RAM采用普通的堿性電池供電叮以堅持數(shù)據(jù)長達7年左右。
BiCMOS( Bipolar CMOS)與BiMOS是同義詞，是雙極工藝和CMOS工藝的混血兒，這種本來是針對雙極性器件與MOS器件難以在同一芯片上集成的混合丁藝，目前具有尤叮比較的本錢優(yōu)勢，并且叮以用于功率晶體管和IC的制造。
目前常用場效應管、KIAmos管的功率控制IC的常見工藝根本上就是上述兩大類：BiCMOS和HV-CMOS，本來非主流的SOI( Silicon-On-Insulator，硅隔離)工藝正在開展中(圖1. 31)。
進步電壓規(guī)格能夠有效進步控制功率，而且有些器件的驅(qū)動確實需求比擬高的電壓，如目前新興的大屏幕FPD（Flat-Panel Displays，平板顯現(xiàn)屏）中的PDP( Plasma Display Panels，等離子顯現(xiàn)屏)、FF.D( Field，F(xiàn).mission Displays，場致發(fā)射顯現(xiàn)屏)、EL(Electro Luminescent Displays，電致發(fā)光顯現(xiàn)屏)等等。
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