【電路精選】MOS管門極驅動電路圖文-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2022-06-13
（1)直接驅動
電阻R1的作用是限流和抑制寄生振蕩，一般為10Ωm到100Ωm,R2是為關斷時提供放電回路的;穩壓二極管D1和D2是保護MOS管的門]極和源極;二極管D3是加速MOS的關斷。
（2)互補三極管驅動
當MOS管的功率很大時，而PWM芯片輸出的PWM信號不足已驅動MOS管時，加互補三極管來提供較大的驅動電流來驅動MOS管。
PWM為高電平時，三極管Q3導通,驅動MOS管導通;PWM為低電平時，三極管Q2導通，加速MOS管的關斷;電阻R1和R3的作用是限流和抑制寄生振蕩，一般為10Ωm到100Ωm,R2是為關斷時提供放電回路的;二極管D1是加速MOS的關斷。
（3)耦合驅動(利用驅動變壓器耦合驅動)
MOS管門極驅動電路：當驅動信號和功率MOS管不共地或者MOS管的源極浮地的時候，比如Buck變換器或者雙管正激變換器中的MOS管，利用變壓器進行耦合驅動如圖:
驅動變壓器的作用:
1.解決驅動MOS管浮地的問題;
2.解決PWM信號與MOS管不共地的問題;
3.一個驅動信號可以分成兩個驅動信號;
4.減少干擾。
由于換能器發出的超聲波前輻射面聲壓同施加電壓對時間的導數dU/dt成正比，盡量縮短激勵脈沖上升時間至關重要。激勵脈沖的上升時間主要取決于MOS管的導通速度。
而驅動這種大功率的MOS管相當于驅動容性負載，尤其是工作在較高頻率下時,柵極電容的充放電會影響MOS管的開關速度。因此設計了由射極跟隨器組成的高速化驅動電路來驅動MOS管,以提高其導通與關斷速度。
下圖為MOS管的門極驅動電路的實現方案。由于射極跟隨器吸收電流的能力很差,所以在射極跟隨器的輸出上附加了PNP三極管Q2,使MOS管關斷時放電高速化。
當Q1的基極為高電平時, Q1飽和導通,+12V電源通過二極管對Q的門極輸入電容進行高速充電,使Q快速導通;當Q1的基極為低電平時，Q的門極輸入電容由Q2的發射極向集電極快速放電,使Q迅速關斷。
聯系方式：鄒先生
聯系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市福田區車公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1
請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關注”官方微信公眾號
請“關注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術幫助
