電動工具、鋰電保護板推薦MOS管 KCX2704A：40V 150A-KIA MOS管

KIA MOS管-KCX2704A：40V 150A KCX2704A是由國內專注研發的優質MOS管廠家生產。KCX2704A是一款SGT工藝產品，是使用LVMOS技術生產的N溝道增強型功率MOSFET。改進的工藝和單元結構特別定制，以最小化導通電阻，提供優越的開關性能。該設備廣泛用于UPS和逆變器系統的電源管理等。

隨著手機快充、電動汽車、無刷電機和鋰電池的興起，中壓MOSFET的需求越來越大，中壓功率器件開始蓬勃發展，因其巨大的市場份額，國內外諸多廠商在相應的新技術研發上不斷加大投入。SGT MOSFET作為中MOSFET的代表，被作為開關器件廣泛應用于電機驅動系統、逆變器系統及電源管理系統，是核心功率控制部件。

SGT MOSFET結構具有電荷耦合效應，在傳統溝槽MOSFET器件PN結垂直耗盡的基礎上引入了水平耗盡，將器件電場由三角形分布改變為近似矩形分布，在采用同樣摻雜濃度的外延材料規格情況下，器件可以獲得更高的擊穿電壓。

較深的溝槽深度，可以利用更多的硅體積來吸收EAS能量，所以SGT在雪崩時可以做得更好，更能承受雪崩擊穿和浪涌電流。在開關電源，電機控制，動力電池系統等應用領域中，SGT MOSFET配合先進封裝，非常有助于提高系統的效能和功率密度。

SGT技術優勢：

提升功率密度

SGT結構相對傳統的Trench結構，溝槽挖掘深度深3-5倍，可以橫向使用更多的外延體積來阻止電壓，顯著降低了MOSFET器件的特征導通電阻（Specific Resistance），例如相同的封裝外形PDFN5*6，采用SGT芯片技術，可以得到更低的導通電阻。

極低的開關損耗

SGT相對傳統Trench結構，具有低Qg 的特點。屏蔽柵結構的引入，可以降低MOSFET的米勒電容CGD達10倍以上，有助于降低器件在開關電源應用中的開關損耗。另外，CGD/CGS的低比值也是目前同步整流應用中抑制shoot-through的關鍵指標，采用SGT結構，可以獲得更低的CGD/CGS比值。

更好的EMI優勢

SGT MOS結構中的內置電阻電容緩沖結構，可以抑制DS電壓關斷時的瞬態振蕩，開關電源應用中，SGT結構中寄生的CD-shield和Rshield可以吸收器件關斷時dv/dt變化帶來的尖峰和震蕩，進一步降低應用風險。

40V 150A KCX2704A特點：

VGS=10V時，RDS（ON）=1.25mΩ（典型值）

低柵極電荷

低Crss

快速切換

額定極限dv/dt

100%雪崩測試

無鉛電鍍

符合RoHS

KCX2704A漏源擊穿電壓40V，漏極電流最大為150A；開啟延遲典型值為22nS，關斷延遲時間典型值為87nS，上升時間64nS，下降時間28nS，反向傳輸電容43pF，反向恢復時間67nS，正向電壓的典型值1.4V。

圖：KCX2704A引腳配置

圖：KCX2704A規格書

【KCX2704A應用】

40V 150A MOS管KCX2704A推薦用于鋰電池保護板、無人機電調、同步整流、電動工具等。

KIA半導體是一家致力于功率半導體電子元器件研發與銷售的高新技術型企業，竭誠服務全球開關電源、綠色照明、電機驅動、汽車電子、新能源充電樁、太陽能設備、數碼家電、安防工程等行業長期合作伙伴，主動了解客戶需求，不斷研發創新，為客戶提供綠色、節能、高效的功率半導體產品。

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