NCE4060K,NCE4060參數(shù)代換,KND3504A場效應管-KIA MOS管

NCE4060參數(shù)引腳圖

漏源電壓（Vdss）：40V

連續(xù)漏極電流（Id）（25°C ）：60A(Tc)

柵源極閾值電壓：2.5V @ 250uA

漏源導通電阻：13mΩ @ 20A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）：65W(Tc)

NCE4060參數(shù)代換,KND3504A

NCE4060參數(shù)代換,KND3504A介紹

KND3504A場效應管，采用了溝槽功率低壓MOSFET技術，漏極電流70A，漏源擊穿電壓40V，具有低導通電阻，典型值為7.0mΩ；出色的散熱封裝和低RDS（ON）的高密度電池設計，使其在各種應用中表現(xiàn)突出；能夠替代新潔能品牌NCE4060K型號進行使用，封裝形式：TO-252。

NCE4060參數(shù)代換,KND3504A

NCE4060參數(shù)代換,KND3504A參數(shù)

漏源電壓：40V

漏極電流：70A

漏源通態(tài)電阻(RDS(on))：7.0mΩ

柵源電壓：±20V

脈沖漏電流：270A

雪崩能量單脈沖：110MJ

最大功耗：48W

輸入電容：1760PF

輸出電容：220PF

總柵極電荷：46.5nC

開通延遲時間：5nS

關斷延遲時間：50nS

上升時間：22ns

下降時間：32ns

NCE4060參數(shù)代換,KND3504A規(guī)格書

NCE4060參數(shù)代換,KND3504A

KND3504A場效應管廣泛應用于各種領域，無論是負載切換、硬開關還是高頻電路，它都能勝任。這款場效應管尤其適用于不間斷電源等領域，在保證穩(wěn)定供電的同時，有效降低了功率損耗，提高了整體效率。先進的散熱封裝技術，能夠有效散熱，確保器件在長時間高負載運行時不易受損，極大地提升系統(tǒng)的性能和穩(wěn)定性，為用戶帶來更加可靠的電力保障。

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