功放場效應管,功放MOS管,6165場效應管參數資料-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-06-04
KNF6165B場效應管漏源擊穿電壓650V，漏極電流10A，符合RoHS標準，適用于音響功放、適配器、充電器和SMPS備用電源等多種應用場景，RDS（ON）典型值為0.75Ω，在VGS為10V時性能出色，低柵極電荷的最小化設計有效降低開關時的損耗，配備快速恢復體二極管，在電路切換時能夠更加穩定可靠。6165場效應管不僅在功率放大和電源管理方面表現出色，而且在節能和穩定性方面也具備出色的性能表現，在家庭音響系統、工業設備的電源控制中都能發揮重要作用，為電路的高效運行提供穩定可靠的支持。
漏源電壓：650V
漏極電流：10A
漏源通態電阻(RDS(on))：0.75Ω
柵源電壓：±30V
脈沖漏電流：40A
雪崩能量單脈沖：800MJ
總功耗：125/45W
總柵極電荷：30nC
輸入電容：1650PF
輸出電容：125PF
開通延遲時間：10nS
關斷延遲時間：41nS
上升時間：15ns
下降時間：16ns
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