p溝道m(xù)os管-100a -40v,KPX3204B場效應(yīng)管參數(shù)引腳圖-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-07-15
KPX3204B場效應(yīng)管采用先進的高單元密度溝槽，漏源擊穿電壓-40V，漏極電流-90A，極低導(dǎo)通電阻VGS=-10V時，RDS（ON）=3.2mΩ（典型值）；超低柵極電荷，高效率低損耗，100%EAS保證、CdV/dt效應(yīng)顯著下降、綠色設(shè)備可用，可靠穩(wěn)定；封裝形式：TO-252。
漏源電壓：-40V
漏極電流：-100A
漏源通態(tài)電阻(RDS(on))：3.2mΩ
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：-300A
雪崩能量單脈沖：361MJ
總功耗：83W
總柵極電荷：148nC
輸入電容：6760PF
輸出電容：650PF
開通延遲時間：15nS
關(guān)斷延遲時間：70nS
上升時間：16ns
下降時間：30ns
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