12n10場效應管參數代換,防盜器專用mos管KIA6110A資料-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-08-01
KIA6110A采用先進的高單元密度溝槽技術，是性能出色的N溝道MOSFET，能夠代換12n10參數100V，15A場效應管在防盜器、LED驅動、DC-DC電源、負載開關中應用；KIA6110A漏源擊穿電壓100V，漏極電流12A，RDS（ON）=90mΩ@VGS=10v，提供出色的RDSON和柵極電荷，具有超低柵極電荷、出色的Cdv/dt效應設計等特性，穩定可靠；封裝形式：TO-252、251，散熱良好；符合RoHS和綠色產品要求，100%EAS保證，全功能可靠性獲得批準。
漏源電壓：100V
漏極電流：12A
漏源通態電阻：90mΩ
柵源電壓：±20V
脈沖漏極電流：24A
雪崩電流：11A
雪崩能量：7.3mJ
耗散功率：34.7W
柵極閾值電壓：1.0V
總柵極電荷：26.2nC
輸入電容：1535 PF
輸出電容：60 PF
上升時間：8.2 ns
聯系方式：鄒先生
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