STP14NF10場效應(yīng)管代換,KIA6410A參數(shù)引腳圖-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-08-05
KIA6410A場效應(yīng)管采用溝槽DMOS技術(shù)，經(jīng)過專門定制，漏源擊穿電壓100V、漏極電流15A，具有RDS（ON）=72 mΩ@VGS=10V的低導(dǎo)通電阻特性，能夠顯著降低導(dǎo)通電阻，提供出色的開關(guān)性能；還具備改進(jìn)的dv/dt能力，確保快速切換的穩(wěn)定性、以及100%的EAS保證、綠色設(shè)備符合環(huán)保要求；在雪崩和換向模式下能夠承受高能脈沖，非常適用于高效快速切換的應(yīng)用場景。KIA6410A可替代STP14NF10在Led應(yīng)用程序，網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)和負(fù)載開關(guān)中應(yīng)用。KIA6410A封裝形式：TO-220、TO-252、TO-251。
漏源電壓：100V
柵源電壓：±20V
漏電流連續(xù)：15A
脈沖漏極電流：60A
耗散功率：50W
熱電阻：62℃/V
漏源擊穿電壓：100V
溫度系數(shù)：0.05V/℃
柵極閾值電壓：1.2V
輸入電容：1480PF
輸出電容：480PF
上升時間：9.5ns
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