STP14NF10場效應管代換,KIA6410A參數引腳圖-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-08-05
KIA6410A場效應管采用溝槽DMOS技術，經過專門定制，漏源擊穿電壓100V、漏極電流15A，具有RDS（ON）=72 mΩ@VGS=10V的低導通電阻特性，能夠顯著降低導通電阻，提供出色的開關性能；還具備改進的dv/dt能力，確?？焖偾袚Q的穩定性、以及100%的EAS保證、綠色設備符合環保要求；在雪崩和換向模式下能夠承受高能脈沖，非常適用于高效快速切換的應用場景。KIA6410A可替代STP14NF10在Led應用程序，網絡系統和負載開關中應用。KIA6410A封裝形式：TO-220、TO-252、TO-251。
漏源電壓：100V
柵源電壓：±20V
漏電流連續：15A
脈沖漏極電流：60A
耗散功率：50W
熱電阻：62℃/V
漏源擊穿電壓：100V
溫度系數：0.05V/℃
柵極閾值電壓：1.2V
輸入電容：1480PF
輸出電容：480PF
上升時間：9.5ns
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