8N50場效應(yīng)管參數(shù)代換,KNF4850A參數(shù)引腳圖,原廠現(xiàn)貨-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-08-19
KNF4850A場效應(yīng)管可以替代8N50型號應(yīng)用在hid安定器、適配器、充電器、SMPS備用電源中；KNF4850A漏源電壓500V，漏極電流9A，RDS(on)=0.7Ω(typ.)@VGS=10V，低柵極電荷使開關(guān)損耗最小化；快恢復(fù)體二極管、符合RoHS環(huán)保要求，穩(wěn)定可靠；封裝形式：TO-220F，散熱性能良好。
漏源電壓：500V
漏極電流：9A
漏源通態(tài)電阻：0.7Ω
柵源電壓：±30V
脈沖漏電流：32A
雪崩能量單脈沖：400MJ
功率耗散：36W
總柵極電荷：24nC
輸入電容：960PF
輸出電容：110PF
開通延遲時間：11nS
關(guān)斷延遲時間：46nS
上升時間：17ns
下降時間：22ns
聯(lián)系方式：鄒先生
聯(lián)系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)金田路3037號金中環(huán)國際商務(wù)大廈2109
請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關(guān)注”官方微信公眾號
請“關(guān)注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術(shù)幫助
免責聲明：本網(wǎng)站部分文章或圖片來源其它出處，如有侵權(quán)，請聯(lián)系刪除。
