8n60場效應管參數(shù)代換,KIA8N60H參數(shù)引腳圖,中文資料-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-08-23
KIA8N60H場效應管漏源擊穿電壓600V，漏極電流7.5A，RDS（開）值僅為0.98Ω，具有良好的導通性能；超低柵極電荷僅為29nC，展現(xiàn)快速切換能力；具有快速開關(guān)時間、改進的dv/dt能力、高雪崩特性，高效穩(wěn)定。KIA8N60H可以替代8N60型號在電源、LED驅(qū)動、PWM電機控制、高效DC-DC轉(zhuǎn)換器和橋接電路中的高速開關(guān)應用，封裝形式： TO-220、220F。
漏源電壓：600V
漏極電流：7.5A
漏源通態(tài)電阻(RDS(on))：0.98Ω
柵源電壓：±30V
脈沖漏電流：30A
最大功耗：147/48W
輸入電容：1000PF
輸出電容：110PF
反向傳輸電容：12PF
開通延遲時間：20nS
關(guān)斷延遲時間：80nS
上升時間：50ns
下降時間：70ns
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