保護(hù)板專用mos管,40v100a,KND3204A場效應(yīng)管參數(shù)引腳圖-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-09-27
KND3204A場效應(yīng)管采用專有新型溝槽技術(shù)，漏源電壓40V，漏極電流100A，是鋰電池保護(hù)板專用MOS管，RDS（ON），典型值=VGS=10V時為4mΩ（典型值），極低導(dǎo)通電阻減少導(dǎo)通損耗，低柵極電荷最小化開關(guān)損耗，快速恢復(fù)體二極管，提高穩(wěn)定性和可靠性；封裝形式：TO-252。
漏源電壓：40V
漏極電流：100A
漏源通態(tài)電阻：4mΩ
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：480A
雪崩能量單脈沖：500MJ
功率耗散：137W
總柵極電荷：51nC
輸入電容：3000PF
輸出電容：425PF
開通延遲時間：15nS
關(guān)斷延遲時間：75nS
上升時間：60ns
下降時間：40ns
聯(lián)系方式：鄒先生
座機：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市龍華區(qū)英泰科匯廣場2棟1902
搜索微信公眾號:“KIA半導(dǎo)體”或掃碼關(guān)注官方微信公眾號
關(guān)注官方微信公眾號：提供 MOS管 技術(shù)支持
免責(zé)聲明：網(wǎng)站部分圖文來源其它出處，如有侵權(quán)請聯(lián)系刪除。
