80v 80a代替,保護板mos管,KNB3308B場效應管參數-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-10-10
KNB3308B是一款10-16串保護板專用MOS管，漏源擊穿電壓80V，漏極電流80A，RDS（ON）值僅為7.2mΩ，低導通電阻最大限度地減少導電損耗，最小化開關損耗，確保鋰電池保護板的性能穩定可靠；此外，它還具有高雪崩電流，能夠應對各種復雜的應用場景，采用無鉛綠色設備，符合環保要求，在電源和DC-DC轉換器等應用中，能夠有效地提供穩定而高效的功率轉換，滿足不同需求；封裝形式：TO-263。
漏源極電壓：80V
漏極電流：80A
漏源通態電阻：7.2mΩ
柵源電壓：±25V
脈沖漏電流：320A
雪崩能量單脈沖：440MJ
最大功耗：210W
總柵極電荷：75nC
輸入電容：3650PF
輸出電容：420PF
開通延遲時間：21nS
關斷延遲時間：66nS
上升時間：64ns
下降時間：40ns
聯系方式：鄒先生
座機：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市龍華區英泰科匯廣場2棟1902
搜索微信公眾號:“KIA半導體”或掃碼關注官方微信公眾號
關注官方微信公眾號：提供 MOS管 技術支持
免責聲明：網站部分圖文來源其它出處，如有侵權請聯系刪除。
