KIA4N65參數(shù)

這是功率MOSFET采用先進(jìn)的平面條形DMOS工藝生產(chǎn)的起亞。這先進(jìn)的技術(shù)已特別定制，以盡量減少對(duì)國(guó)家的阻力，提供優(yōu)越的。開關(guān)性能，在雪崩和換相模式下承受高能量脈沖。器件主要適用于高效率開關(guān)電源，有源功率因數(shù)校正。基于半橋拓?fù)洹?/span>

KIA4N65特征

RDS(on) =2.5? @ VGS=10V

低柵極電荷（典型的16nc）

高耐用性

快速切換

100%雪崩測(cè)試

改進(jìn)的dv / dt的能力

產(chǎn)品型號(hào)：KIA4N65

工作方式：4A/650V

漏源電壓：650V

柵源電壓：±30V

漏電流連續(xù)：3.0A

脈沖漏極電流：12A

雪崩能量：210mJ

耗散功率：58W

熱電阻：110℃/W

漏源擊穿電壓：650V

溫度系數(shù)：0.65V/℃

柵極閾值電壓：2.0V

輸入電容：560 PF

輸出電容：55 PF

上升時(shí)間：40 ns

封裝形式：TO-251、TO-252、TO-220、TO-220F

	KIA4N65（4A 650V）
產(chǎn)品編號(hào)	KIA4N65/HF
FET極性	N溝道MOSFET
產(chǎn)品工藝	功率MOSFET采用先進(jìn)的平面條形DMOS工藝生產(chǎn)的起亞。這先進(jìn)的技術(shù)已特別定制，以盡量減少對(duì)國(guó)家的阻力，提供優(yōu)越的。開關(guān)性能，在雪崩和換相模式下承受高能量脈沖
產(chǎn)品特征	RDS(on) =2.5? @ VGS=10V 低柵極電荷（典型的16nc）高耐用性快速切換 100%雪崩測(cè)試改進(jìn)的dv / dt的能力
適用范圍	器件主要適用于高效率開關(guān)電源，有源功率因數(shù)校正。基于半橋拓?fù)洹?/span>
封裝形式	TO-251、TO-252、TO-220、TO-220F
PDF文件	【直接在線預(yù)覽】
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廠家	KIA原廠家
網(wǎng)址	www.worksns.com
PDF總頁數(shù)	總6頁