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3N80現貨供應商 KIA3N80 3.0A/800V PDF文件下載 3N80參數資料-KIA官網

信息來源:本站 日期:2018-02-06 

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KIA3N80參數

KIA3n80hN溝道增強型硅柵功率MOSFET的設計對于高電壓,高速功率開關應用,如開關穩壓器,開關轉換器,螺線管,電機驅動器,繼電器驅動程序。

特征

RDS(on)=4.8Ω @ VGS=10V

低柵極電荷(典型的13nc)

高耐用性

快速切換的能力

雪崩能量

改進的dt/dt能力


參數

產品型號:KIA3N80

工作方式:3.0A/800V

漏源電壓:800V

柵源電壓:±30V

漏電流連續:3A

脈沖漏極電流:12A

雪崩能量:320mJ

耗散功率:39W

熱電阻:62.5℃/W

漏源擊穿電壓:800V

溫度系數:1V/℃

柵極閾值電壓:3.0V

輸入電容:543 PF

輸出電容:54 PF

上升時間:43.5 ns

封裝形式:TO-220F



KIA3N80
產品編號 KIA3M80(3.0A 800V
FET極性 N溝道MOSFET
產品特征

RDS(on)=4.8Ω @ VGS=10V

低柵極電荷(典型的13nc)

高耐用性

快速切換的能力

雪崩能量

改進的dt/dt能力

適用范圍 KIA3n80hN溝道增強型硅柵功率MOSFET的設計對于高電壓,高速功率開關應用,如開關穩壓器,開關轉換器,螺線管,電機驅動器,繼電器驅動程序。
封裝形式 TO-220F
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廠家 KIA原廠家
網址 www.worksns.com
PDF頁總數 總6頁

聯系方式:鄒先生

聯系電話:0755-83888366-8022

手機:18123972950

QQ:2880195519

聯系地址:深圳市福田區車公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1


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