4660A mos管現(xiàn)貨供應商 KIA4660A 7.5A/600V PDF文件下載-KIA 官網(wǎng)
信息來源：本站 日期：2018-03-16
KIA4660A是功率MOSFET采用起亞`平面條形DMOS工藝生產(chǎn)的先進。這先進的技術已特別定制，以盡量減少對國家的阻力，提供優(yōu)越的。開關性能，在雪崩和換相模式下承受高能量脈沖。這些器件非常適用于高效率開關電源，有源功率因數(shù)校正。基于半橋拓撲。
RDS(on) =1.0?(典型值) @ VGS =10V
超低柵極電荷（典型的27nc）
低反向轉(zhuǎn)移電容
快速切換的能力
雪崩能量測試
改進的dv / dt的能力，高耐用性
產(chǎn)品型號：KIA4660A
工作方式：7.5A/600V
漏源電壓：600V
柵源電壓：±30A
漏電流連續(xù)：7.5A
脈沖漏極電流：28A
雪崩能量：215mJ
耗散功率：1.1W/℃
熱電阻：62.5℃/W
漏源擊穿電壓：600V
溫度系數(shù)：0.6V/℃
柵極閾值電壓：2.0V
輸入電容：900PF
輸出電容：100PF
上升時間：45ns
封裝形式：TO-263
 |
KIA4660A |
| 產(chǎn)品編號 | KIA4660A 7.5A/600V |
| 產(chǎn)品描述 |
KIA4660A是功率MOSFET采用起亞`平面條形DMOS工藝生產(chǎn)的先進。這先進的技術已特別定制，以盡量減少對國家的阻力，提供優(yōu)越的。開關性能，在雪崩和換相模式下承受高能量脈沖。這些器件非常適用于高效率開關電源，有源功率因數(shù)校正。基于半橋拓撲。 |
| 產(chǎn)品特征 |
RDS(on) =1.0?(典型值) @ VGS =10V 超低柵極電荷（典型的27nc） 低反向轉(zhuǎn)移電容 快速切換的能力 雪崩能量測試 改進的dv / dt的能力，高耐用性 |
| 封裝形式 | TO-263 |
| PDF文件 |
 【直接在線預覽】 |
| LOGO |
 |
| 廠家 | KIA原廠家 |
| 網(wǎng)址 | www.worksns.com |
| PDF頁總數(shù) | 總6頁 |
聯(lián)系方式：鄒先生
聯(lián)系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)車公廟天安數(shù)碼城天吉大廈CD座5C1
關注KIA半導體工程專輯請搜微信號:“KIA半導體”或點擊本文下方圖片掃一掃進入官方微信“關注”。
長按二維碼識別關注
