場效應管導通條件

場效應管導通條件與截止由柵源電壓來控制，對于增強型場效應管來說，N溝通的管子加正向電壓即導通，P溝通的管子則加反向電壓。一般2V ~4V就可以了。

但是，場效應管分為增強型（常開型）和耗盡型（常閉型），增強型的管子是需要加電壓才能導通的，而耗盡型管子本來就處于導通狀態，加柵源電壓是為了使其截止。

開關只有兩種狀態通和斷，三極管和場效應管工作有三種狀態，1、截止，2、線性放大，3、飽和（基極電流繼續增加而集電極電流不再增加）。使晶體管只工作在1和3狀態的電路稱之為開關電路，一般以晶體管截止，集電極不吸收電流表示關；以晶體管飽和，發射極和集電極之間的電壓差接近于Ov時表示開。

開關電路用于數字電路時，輸出電位接近Ov時表示0，輸出電位接近電源電壓時表示1。所以數字集成電路內鄯的晶體管都工作在開關狀態。場效應管按溝通分可分為N溝通和P溝道管（在符號圖中可看到中間的箭頭方向不一樣）。

按材料分可分為結型管和絕緣柵型管，絕緣柵型又分為耗盡型和增強型，一般主板上大多是絕緣柵型管簡稱MOS管，并且大多采用增強型的N溝道，其次是增強型的P溝通，結型蓄和耗盡型蓄幾乎不用。場效應昌體管(FieldEffectTransistor縮寫(FET))簡稱場效應管由多數載流子參與導電，也稱為單極型晶體管它屬于電壓控制型半導體器件場效應管是利用多數載流子導電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數載流子，也利用少數載流子導電，被稱之為雙極型器件有些場效應管的源極和漏極可以互換使用，棚壓也可正可負，靈活性比晶體管好。

什么叫場效應管？

FET是Field-Effect-Transistor的縮寫，即為場效應晶體管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子，即多數載流子和反極性的少數載流子參與導電，因此稱為雙極型晶體管，而FET僅是由多數載流子參與導電，它與雙極型相反，也稱為單極型晶體管。FET應用范圍很廣，但不能說現在普及的雙極型晶體管都可以用FET替代。然而，由于FET的特性與雙極型晶體管的特性完全不同，能構成技術性能非常好的電路。

三極管的導通條件

三極管的導通條件是：發射結加正向電壓，集電結加反向電壓。發射結加正向電壓，就是基極和發射極之間所加電壓Ube，是按箭頭的指向加PN結的電壓，即硅管加07Vj鍺管加口2V。集電結加反向電壓，就是在集電結的PN結上加反壓Ube才能把基區的電荷吸引過來。此電壓較高，在手機中一般為1-3.6V。

PNP三極管的導通電壓是Ue>Ub>Uc；NPN三極管為Uc>Ub>Ue。

對于NPN型管子．是C點電位>B點電位>E點電位．對PNP型管子．是E點電位>B點電位>C點電位．這是放大的條件要想使管子飽和導通．則應該(NPN型)Ub>Ue．Ub>Uc．(PNP型)Ue>Ub．Uc>Ub

場效應管開關工作狀態

FET類型	符號	工作條件	開關狀態	備注
N溝道結型		UGS=0	D、S導通
		UGS	D、S斷開
P溝道結型		UGS=0	D、S導通
		UGS>UGS(OFF)>0	D、S斷開
NMOS耗盡型		UGS=0	D、S導通	襯底與源極S相連
		UGS>UGS(OFF)>0	D、S斷開
PMOS耗盡型		UGS=0	D、S導通
		UGS	D、S斷開
NMOS增強型		UGS=0	D、S斷開
		UGS>0	D、S導通
PMOS增強型		UGS=0	D、S斷開
		UGS<0	D、S導通