貼片MOS管封裝大全-常用貼片MOS管封裝引腳圖順序詳解-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2018-06-26
MOS管的英文全稱叫MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor),即金屬氧化物半導體型場效應管,屬于場效應晶體管中的絕緣柵型。因此,MOS管有時被稱為場效應管。在一般電子電路中,MOS管通常被用于放大電路或開關電路。而在板卡上的電源穩壓電路中,MOSFET扮演的角色主要是判斷電位。
MOS管對于整個供電系統而言起著穩壓的作用。目前板卡上所采用的MOS管并不是太多,一般有10個左右,主要原因是大部分MOS管被整合到IC芯片中去了。由于MOS管主要作用是為配件提供穩定的電壓,所以它一般使用在CPU、GPU 和插槽等附近。MOS管一般是以上下兩個組成一組的形式出現板卡上。
MOSFET芯片在制作完成之后,需要給MOSFET芯片加上一個外殼,即MOS管封裝。MOSFET芯片的外殼具有支撐、保護、冷卻的作用,同時還為芯片提供電氣連接和隔離,以便MOSFET器件與其它元件構成完整的電路。按照安裝在PCB 方式來區分,MOS管封裝主要有兩大類:插入式(Through Hole)和表面貼裝式(Surface Mount)。插入式就是MOSFET的管腳穿過PCB的安裝孔焊接在PCB 上。表面貼裝則是MOSFET的管腳及散熱法蘭焊接在PCB表面的焊盤上。
TO（Transistor Out-line）的中文意思是“晶體管外形”。這是早期的封裝規格，例如TO-92，TO-92L，TO-220，TO-252等等都是插入式封裝設計。近年來表面貼裝市場需求量增大，TO封裝也進展到表面貼裝式封裝。
TO252和TO263就是表面貼裝封裝。其中TO-252又稱之為D-PAK，TO-263又稱之為D2PAK。
D-PAK封裝的MOSFET有3個電極，柵極（G）、漏極（D）、源極（S）。其中漏極（D）的引腳被剪斷不用，而是使用背面的散熱板作漏極（D），直接焊接在PCB上，一方面用于輸出大電流，一方面通過PCB散熱。所以PCB的D-PAK焊盤有三處，漏極（D）焊盤較大。
芯片封裝流行的還是雙列直插封裝，簡稱DIP(Dual ln-line Package)。DIP封裝在當時具有適合PCB(印刷電路板)的穿孔安裝，具有比TO型封裝易于對PCB布線以及操作較為方便等一些特點，其封裝的結構形式也很多，包括多層陶瓷雙列直插式DIP，單層陶瓷雙列直插式DIP，引線框架式DIP等等。常用于功率晶體管、穩壓芯片的封裝。
SOT（Small Out-Line Transistor）小外形晶體管封裝。這種封裝就是貼片型小功率晶體管封裝，比TO封裝體積小，一般用于小功率MOSFET。常見的規格如上。
主板上常用四端引腳的SOT-89 MOSFET。
|
PEF |
Millimeter |
REF |
Millimeter |
||
|
Min |
Max |
Min |
Max |
||
|
A |
2.70 |
3.04 |
G |
- |
0.18 |
|
B |
2.10 |
2.80 |
H |
0.40 |
|
|
C |
1.20 |
1.60 |
J |
0.80 |
|
|
D |
0.89 |
1.40 |
K |
0.6 REF |
|
|
E |
1.78 |
2.04 |
L |
0.85 |
1.15 |
|
F |
0.30 |
0.50 |
|
|
|
SOP（Small Out-Line Package）的中文意思是“小外形封裝”。SOP是表面貼裝型封裝之一，引腳從封裝兩側引出呈海鷗翼狀（L 字形）。材料有塑料和陶瓷兩種。SOP也叫SOL 和DFP。SOP封裝標準有SOP-8、SOP-16、SOP-20、SOP-28等等，SOP后面的數字表示引腳數。MOSFET的SOP封裝多數采用SOP-8規格，業界往往把“P”省略，叫SO（Small Out-Line ）。
SO-8采用塑料封裝，沒有散熱底板，散熱不良，一般用于小功率MOSFET。
SO-8是PHILIP公司首先開發的，以后逐漸派生出TSOP（薄小外形封裝）、VSOP（甚小外形封裝）、SSOP（縮小型SOP）、TSSOP（薄的縮小型SOP）等標準規格。
這些派生的幾種封裝規格中，TSOP和TSSOP常用于MOSFET封裝。
QFN（Quad Flat Non-leaded package）是表面貼裝型封裝之一，中文叫做四邊無引線扁平封裝，是一種焊盤尺寸小、體積小、以塑料作為密封材料的新興表面貼裝芯片封裝技術。現在多稱為LCC。QFN是日本電子機械工業會規定的名稱。封裝四邊配置有電極接點，由于無引線，貼裝占有面積比QFP小，高度比QFP低。這種封裝也稱為LCC、PCLC、P－LCC等。QFN本來用于集成電路的封裝，MOSFET不會采用的。Intel提出的整合驅動與MOSFET的DrMOS采用QFN-56封裝，56是指在芯片背面有56個連接Pin
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