在驅動MOS晶體管Q2導通期間的開始部分，D1和S2將導通。但是當Ql已經關斷并且基...在驅動MOS晶體管Q2導通期間的開始部分，D1和S2將導通。但是當Ql已經關斷并且基—射結間的恢復電流已經變為零的時候，在繞組P2的電壓通過R1使Dl和S2反偏關斷。所有...
功率開關管的種類很多，如巨型晶體管GTR、快速晶閘管SCR、門極可關斷晶閘管GTO...功率開關管的種類很多，如巨型晶體管GTR、快速晶閘管SCR、門極可關斷晶閘管GTO、功率場效應晶體管P- MOSFET和絕緣柵雙極型晶體管IGBT等。雙極結型晶體管( BJT)是一...
由于在柵極與半導體之間有絕緣二氧化硅的關系，MOS器件的輸入阻抗非常高，此一...由于在柵極與半導體之間有絕緣二氧化硅的關系，MOS器件的輸入阻抗非常高，此一特色使MOSFET在功率器件的應用相當引人注目，因為高輸入阻抗的關系，柵極漏電流非常...
在CMOS應用中能同時將p溝道與n溝道MOSFET制作在同一片芯片上．需要額外的摻雜及...在CMOS應用中能同時將p溝道與n溝道MOSFET制作在同一片芯片上．需要額外的摻雜及擴散步驟，以便在襯底中形成“阱”或“盆(tub)”．阱中的摻雜種類與周圍襯底不同．...
單片MOS開關電源的典型應用電路如圖1-13所示。由于單端反激式開關電源電路簡單...單片MOS開關電源的典型應用電路如圖1-13所示。由于單端反激式開關電源電路簡單、所用元件少，輸出與輸人間有電氣隔離，能方便地實現多路輸出，開關管驅動簡單，所...
導通瞬間基極過驅動峰值輸入電流／bl為了保證迅速導通集電極電流，需要有一個持...導通瞬間基極過驅動峰值輸入電流／bl為了保證迅速導通集電極電流，需要有一個持續時間很短且峰值約為導通期間平均值2～3倍的基極尖峰電流供給基極。該尖峰的持續時...
