8205MOS管,8205場效應(yīng)管參數(shù) 漏源電壓：20V 漏極電流：5.0A 柵源電壓：±12...8205MOS管,8205場效應(yīng)管參數(shù) 漏源電壓：20V 漏極電流：5.0A 柵源電壓：±12V 脈沖漏電流：20A 總功耗：2W
KIA3414采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，漏源擊穿電壓20V，漏極電流4.2A，提供出色的RDS（...KIA3414采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，漏源擊穿電壓20V，漏極電流4.2A，提供出色的RDS（on），低柵極電荷門極電壓低至1.8V。該裝置適用于負(fù)載開關(guān)或PWM應(yīng)用。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品KIA34...
KNX3402A是一款漏源擊穿電壓20V，漏極電流80A的高性能場效應(yīng)管，RDS（開啟）（...KNX3402A是一款漏源擊穿電壓20V，漏極電流80A的高性能場效應(yīng)管，RDS（開啟）（典型值）=3.0m? @ VGS=4.5伏，超低Rdson的高密度電池設(shè)計(jì)，保證了電路的高效能運(yùn)行...
KIA3402采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，提供優(yōu)良的RDS（開）、低柵電荷和柵電壓低至2.5V。...KIA3402采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，提供優(yōu)良的RDS（開）、低柵電荷和柵電壓低至2.5V。3402場效應(yīng)管適用于作為負(fù)載開關(guān)或在PWM應(yīng)用程序中使用。KIA3402（綠色產(chǎn)品）提供無...
KIA3400采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，提供出色的RDS（導(dǎo)通）、低柵極電荷和低至2.5V的柵...KIA3400采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，提供出色的RDS（導(dǎo)通）、低柵極電荷和低至2.5V的柵極電壓操作。3400場效應(yīng)管適用于負(fù)載開關(guān)或PWM應(yīng)用。
KNX3302A場效應(yīng)管采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，漏源擊穿電壓20V，漏極電流85A，RDS(on)...KNX3302A場效應(yīng)管采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，漏源擊穿電壓20V，漏極電流85A，RDS(on)=3.8m?(typ.) @ VGS=4.5V，提供出色的RDS（ON）、低柵極電荷和低至4.5V的柵極電壓操...
