KNP9125A場效應(yīng)管采用專有新型平面技術(shù)，最高承受電壓可達250V，漏極電流最大值...KNP9125A場效應(yīng)管采用專有新型平面技術(shù)，最高承受電壓可達250V，漏極電流最大值為40A，RDS（ON）=80mΩ（典型值）@VGS=10V；具有低柵極電荷最小化開關(guān)損耗、快速恢...
KNH7150A場效應(yīng)管采用專有新平面技術(shù)，漏源擊穿電壓500V，漏極電流20A，RDS(ON...KNH7150A場效應(yīng)管采用專有新平面技術(shù)，漏源擊穿電壓500V，漏極電流20A，RDS(ON),typ.=0.24Ω@VGS =10V，具有低柵極電荷最小化開關(guān)損耗、快恢復(fù)體二極管，是一款性...
漏源電壓：500V 漏極電流：28A 漏源通態(tài)電阻(RDS(on))：0.16Ω 柵源電壓：±...漏源電壓：500V 漏極電流：28A 漏源通態(tài)電阻(RDS(on))：0.16Ω 柵源電壓：±30V
電動車防盜報警器專用MOS管KPD7910A漏源擊穿電壓-100V，漏極電流-28A，RDS(on)...電動車防盜報警器專用MOS管KPD7910A漏源擊穿電壓-100V，漏極電流-28A，RDS(on) = 60mΩ(typ)@VGS=10V，具有極低通阻RDS(on)，開關(guān)速度快，優(yōu)秀的QgxRDS產(chǎn)品（FOM）...
無線充專用MOS管KNB2915A采用先進的溝槽技術(shù)，漏源擊穿電壓150V，漏極電流130A...無線充專用MOS管KNB2915A采用先進的溝槽技術(shù)，漏源擊穿電壓150V，漏極電流130A，RDS（ON）=10mΩ（典型值）@VGS=10V，具有極低導(dǎo)通電阻RDS（on）和優(yōu)秀的Qg x RDS...
電機控制器專用MOS管KNX9130B采用專有新型平面技術(shù)，漏源擊穿電壓300V，漏極電...電機控制器專用MOS管KNX9130B采用專有新型平面技術(shù)，漏源擊穿電壓300V，漏極電流40A，RDS（ON）=0.12Ω（典型值）@VGS=10V，降低導(dǎo)通損耗，具有低柵極電荷最小化開...
