KIA7610A場效應管漏源擊穿電壓100V，漏極電流25A，RDS（開）=32mΩ，采用了先進...KIA7610A場效應管漏源擊穿電壓100V，漏極電流25A，RDS（開）=32mΩ，采用了先進的溝槽加工技術，實現極低的導通電阻，提供杰出的性能、結工作溫度175℃，具備較高...
KIA6410A場效應管漏源擊穿電壓100V、漏極電流15A，具有RDS（ON）=72 mΩ@VGS=1...KIA6410A場效應管漏源擊穿電壓100V、漏極電流15A，具有RDS（ON）=72 mΩ@VGS=10V的低導通電阻特性，同時還具備改進的dv/dt能力，確?？焖偾袚Q的穩定性、以及100%的...
KIA6N70H場效應管漏源擊穿電壓700V、漏極電流5.8A，RDS(on)typ為1.8Ω@VGS=10V...KIA6N70H場效應管漏源擊穿電壓700V、漏極電流5.8A，RDS(on)typ為1.8Ω@VGS=10V，具有低柵電荷（典型16NC）、高耐用性、快速切換和雪崩測試100%、具備提高dv/dt能力...
KNX2804C場效應管漏源擊穿電壓40V，漏極電流150A，采用先進的溝槽MOS技術，具有...KNX2804C場效應管漏源擊穿電壓40V，漏極電流150A，采用先進的溝槽MOS技術，具有極低的導通電阻RDS（接通），能夠實現高效的電路控制；2804場效應管RDS（ON）為3.0...
KIA3407A場效應管采用了先進的溝槽工藝技術，漏源擊穿電壓70V，漏極電流80A，R...KIA3407A場效應管采用了先進的溝槽工藝技術，漏源擊穿電壓70V，漏極電流80A，RDS(ON)最大10.8m?（在VGS=10V時）；封裝形式：TO-220、TO-263。
1n65場效應管漏極電流1A，漏源電壓高達650V，RDS（開）為9.3? @VGS=10V、低柵...1n65場效應管漏極電流1A，漏源電壓高達650V，RDS（開）為9.3? @VGS=10V、低柵極電荷僅為5.0nC，提供高堅固性和快速切換能力、還具備指定的雪崩能量和改進的dv/dt...
