當S1A為低電平的時候，MOS管Q3導通，S1A與S2A導通，S2A端被拉低到0V，實現兩端...當S1A為低電平的時候，MOS管Q3導通，S1A與S2A導通，S2A端被拉低到0V，實現兩端都為低電平。 當S1A為高電平的時候，MOS管Q3關斷，S2A端由上拉電阻（上圖中的 R28）...
結型場效應管（JFET）、絕緣柵型場效應管（MOSFET），結型場效應管分為N溝道和...結型場效應管（JFET）、絕緣柵型場效應管（MOSFET），結型場效應管分為N溝道和P溝道；絕緣柵型分為增強型和耗盡型（N溝道和P溝道）。 JFET和MOSTFET之間的主要區...
FET（場效應晶體管）主要分為結型場效應管（JFET）、金屬氧化物半導體場效應管...FET（場效應晶體管）主要分為結型場效應管（JFET）、金屬氧化物半導體場效應管（MOSFET）和金屬-半導體場效應管（MESFET）、調制摻雜場效應管（MODFET）等。
MOS管在開關電路中扮演著重要的角色。其優異的電性能使得它能夠高效地控制電路...MOS管在開關電路中扮演著重要的角色。其優異的電性能使得它能夠高效地控制電路的通斷，實現精確的開關功能。
KCB2904A場效應管漏源擊穿電壓45V，漏極電流130A，采用先進的SGT技術，極低導通...KCB2904A場效應管漏源擊穿電壓45V，漏極電流130A，采用先進的SGT技術，極低導通電阻RDS（ON）2mΩ（典型值），最大限度地降低導通電阻，減少開關損耗；具有低功率...
