KCX012N10N場效應管漏源擊穿電壓100V,漏極電流330A ,采用先進的MOS技術制造,...KCX012N10N場效應管漏源擊穿電壓100V,漏極電流330A ,采用先進的MOS技術制造,極低導通電阻RDS(開啟) 1.4mΩ,卓越的QgxRDS(on)產品(FOM),減少開關損耗,高...
LLC變換器由4個模塊組成:電源開關、諧振腔、變壓器和二極管整流器。MOSFET功率...LLC變換器由4個模塊組成:電源開關、諧振腔、變壓器和二極管整流器。MOSFET功率開關首先將輸入的直流電壓轉換為高頻方波;隨后方波進入諧振腔,由諧振腔消除方波的...
PPN電容是CBB13型無感箔式聚丙烯膜電容的另一種名稱,屬于薄膜電容器的一種,具...PPN電容是CBB13型無感箔式聚丙烯膜電容的另一種名稱,屬于薄膜電容器的一種,具有高頻損耗小、耐沖擊、溫度穩定性好等特點,廣泛應用于高頻、直流、交流及大電流脈...
KCX012N09N場效應管漏源擊穿電壓90V,漏極電流305A ,采用先進的MOS技術制造,...KCX012N09N場效應管漏源擊穿電壓90V,漏極電流305A ,采用先進的MOS技術制造,極低導通電阻RDS(開啟) 1.3mΩ,卓越的QgxRDS(on)產品(FOM),減少開關損耗,提高...
TIP42C是PNP功率晶體管,采用TO-220塑料封裝,材料是SI-NPN,該器件適用于音頻...TIP42C是PNP功率晶體管,采用TO-220塑料封裝,材料是SI-NPN,該器件適用于音頻,功率線性和開關應用。與TIP42C互補的PNP類型為TIP41C中功率三極管,其廣泛用于信號...
無線電通信是利用電磁波進行信息傳輸的一種技術。無線電通常使用調頻或調幅技術...無線電通信是利用電磁波進行信息傳輸的一種技術。無線電通常使用調頻或調幅技術將信息轉化為電信號,然后通過天線傳輸。 1.調制:發射端先將要傳輸的信號進行調制...