婷婷精品进入,91麻豆精品久久久久蜜臀,亚洲精品一级二级三级,91精品国产综合久久香蕉922

廣東可易亞半導體科技有限公司

國家高新企業

cn en

新聞中心

N溝道和P溝道MOSFET哪個常用?MOS耗盡型的哪個常用

信息來源:本站 日期:2017-07-26 

分享到:

耗盡型MOSFET( Depletion Mode MOSFET)與增強型MOSFET有著同樣的柵極結構,所不同是,在常態下,它內部的(導電)溝道是天生的。換言之,常態下的耗盡型MOSFET是導通的,這一點與JFET相同,所不同的是二者的柵極結構。


耗盡型MOSFET也有N溝道與P溝道兩種,以P溝道較為常見。橫向溝道的耗盡型MOSFET的結構簡圖如圖1.22所示,也有垂直溝道的產品。P溝道的只需要將結構圖中的“P"與“N”對調即可。


目前市場上只能見到小功率耗盡型MOSFET產品,電壓規格為500V左右,比JFET要高得多


關注KIA半導體工程專輯請搜微信號:“KIA半導體”或點擊本文下方圖片掃一掃進入官方微信“關注”

長按二維碼識別關注

主站蜘蛛池模板: 东丰县| 怀远县| 香港 | 余干县| 教育| 开化县| 陵水| 万全县| 延吉市| 乃东县| 定襄县| 巴彦县| 广汉市| 琼结县| 佛冈县| 桃园县| 孟村| 水富县| 南木林县| 清丰县| 鲁甸县| 金华市| 肥乡县| 濉溪县| 美姑县| 称多县| 永靖县| 宝应县| 桂阳县| 广东省| 辉县市| 永寿县| 连江县| 屏边| 湖口县| 开平市| 博爱县| 固阳县| 贵州省| 钟祥市| 行唐县|