婷婷精品进入,91麻豆精品久久久久蜜臀,亚洲精品一级二级三级,91精品国产综合久久香蕉922

廣東可易亞半導體科技有限公司

國家高新企業

cn en

新聞中心

N溝道和P溝道MOSFET哪個常用?MOS耗盡型的哪個常用

信息來源:本站 日期:2017-07-26 

分享到:

耗盡型MOSFET( Depletion Mode MOSFET)與增強型MOSFET有著同樣的柵極結構,所不同是,在常態下,它內部的(導電)溝道是天生的。換言之,常態下的耗盡型MOSFET是導通的,這一點與JFET相同,所不同的是二者的柵極結構。


耗盡型MOSFET也有N溝道與P溝道兩種,以P溝道較為常見。橫向溝道的耗盡型MOSFET的結構簡圖如圖1.22所示,也有垂直溝道的產品。P溝道的只需要將結構圖中的“P"與“N”對調即可。


目前市場上只能見到小功率耗盡型MOSFET產品,電壓規格為500V左右,比JFET要高得多


關注KIA半導體工程專輯請搜微信號:“KIA半導體”或點擊本文下方圖片掃一掃進入官方微信“關注”

長按二維碼識別關注

主站蜘蛛池模板: 文安县| 拉孜县| 保康县| 阳西县| 潼南县| 屏东县| 荥经县| 德江县| 康平县| 开阳县| 广南县| 石城县| 汉源县| 天水市| 栖霞市| 天峻县| 苍溪县| 海晏县| 腾冲县| 新乐市| 常州市| 武穴市| 昆山市| 时尚| 海兴县| 祥云县| 泸定县| 巴林右旗| 九江县| 焦作市| 子长县| 新丰县| 海伦市| 岱山县| 皮山县| 玉门市| 正安县| 六枝特区| 通州市| 洛阳市| 兴安盟|