槽柵MOS器件優(yōu)勢是什么包括理論及實驗動研究
信息來源：本站 日期：2017-08-01
槽柵構(gòu)造有利于進步電流控制才能，但是結(jié)電容大，不利于工作頻率的提高。將平而柵極構(gòu)造與雙擴散有機分離起來，就LDMOS(Lateral DoubleDiffuse MOSFET，橫向雙擴散MOSFET)（圖1.18）。
LDMOS的主要優(yōu)勢是結(jié)電容小、工作頻率高，合適于微波應(yīng)用。
微波功率放大器的封裝與常見的封裝不同（圖l.19），這是和微波功率放大相順應(yīng)的。微波功率放大應(yīng)用大都是漏極輸出、源極接地的電路（共源極電路），出于電路規(guī)劃的思索，TAB(本體散熱片)也需求和散熱器直接相連。LD-MOS的襯底（背電極）是源極而不是漏極，剛好能夠滿足這一需求，源極襯底可以直接和TAB相連（圖1.19），熱阻減小，有利于進步功率耗散能才能。而垂直溝道的DMOS，襯底（背電極）是漏極，用于微波的垂直溝道MOS功率器件，通常是在TAB與襯底之間設(shè)置Be0(氧化鍍)隔離層，既增加了熱阻，又進步了封裝本錢。
關(guān)注KIA半導(dǎo)體工程專輯請搜微信號:“KIA半導(dǎo)體”或點擊本文下方圖片掃一掃進入官方微信“關(guān)注”。
閱讀原文可一鍵關(guān)注+技術(shù)總匯
