關于NMOS+PMOS開關電路失效分析-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2022-06-15
PMOS+NMOS作為開機信號，開機要求為高電平開機，最小電壓為1.8V，耐壓可達17V，為使可靠，選擇5V左右（14V4通過100K和56K分壓，設計者是這么想的）。但生產時發(fā)現此開機按鍵并不起作用，表現為按下開機按鍵和不按開機按鍵都是不開機。
說明：此處開機按鍵為撥動開關，按下時不開機，說明輸出并不是高電平。
按下按鍵：通過萬用表測量，發(fā)現前端PNP三極管的E極電壓只有1V多一點。C極0.17V,R148前端14.4V正常。
實際電路如下：
畫出其大概的等效電路，如上圖草圖，如不考慮三極管和NMOS導通時的壓降，三極管C極電壓應該為14.4x(1.5/100||1.5)=0.22V.但實際為0.17V左右。
查閱芯片CJX3439K手冊如上（NMOS和PMOS參數對稱），開啟電壓VGS最大為1.1V，最小為0.35V，而此NMOS G極電壓為14.4與R105|R27分壓的值，為5.2V，因此NMOS完全導通。
由于三極管VCE=1.13-0.17，約為1V，此時三極管并未導通，處于放大狀態(tài)，此時PMOS VGS<-0.17V，比最小開啟電壓0.35V還小，因此此時P-MOS處于關閉狀態(tài)，所以R32=1.5K太小是導致此問題出現的原因，將R32換做100K后開機正常，PMOS良好導通，此時P-MOS G極電壓為1.93V，實際測量值見上圖。
三極管及MOS參數如下圖：
此電路的優(yōu)化：
整理整個電路的思路：要求低電平開機，即：按鍵按下時接地，整個開關電路輸出為高電平，也即常用的反相器的作用。
用一個PNP BJT或一個P-MOS即可實現，但此電路多余了一個NPN+PNP，有點冗余，考慮設計時還接入了遠程開機方案，必須使用N-MOS+P-MOS（遠程開機為高電平起作用），因此應保留P-MOS，修改后的電路如下：
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