電機(jī)驅(qū)動mos管選型,85v120a,KCD3008A場效應(yīng)管參數(shù)-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-04-28
電機(jī)驅(qū)動mos管選型要求：
最大漏-源電壓（VDSS）：需高于實(shí)際工作電壓峰值并預(yù)留20%-30%裕量，防止瞬態(tài)過壓損壞。
最大漏極電流（ID）：根據(jù)電機(jī)最大負(fù)載電流選定，需覆蓋連續(xù)模式和瞬態(tài)尖峰電流。選擇低導(dǎo)通電阻的器件以減少損耗。
柵極驅(qū)動電壓（VGS）：需高于閾值電壓（VGS（th））并留有余量，確保完全導(dǎo)通。
NMOS管：適用于低壓側(cè)開關(guān)（如H橋下管），具有成本低、型號多、導(dǎo)通電阻小的優(yōu)勢。
PMOS管：用于高壓側(cè)開關(guān)（如H橋上管），但成本高且可選型號較少，通常需配合自舉升壓電路實(shí)現(xiàn)高壓驅(qū)動。
KCD3008A場效應(yīng)管漏極電流120A，漏源擊穿電壓為85V，采用先進(jìn)的SGT技術(shù)，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 4.5mΩ，最大限度地減少開關(guān)損耗，提高效率；優(yōu)秀的柵極電荷xRDS（開）產(chǎn)品（FOM），穩(wěn)定可靠；在電機(jī)驅(qū)動器和DC/DC轉(zhuǎn)換器、SR（同步整流）中能夠高效運(yùn)行；封裝形式：TO-252，散熱良好。
漏源電壓：85V
漏極電流：120A
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：480A
雪崩能量單脈沖：560MJ
最大功耗：85W
閾值電壓：3.0V
總柵極電荷：65nC
輸入電容：4030PF
輸出電容：545PF
反向傳輸電容：35PF
開通延遲時(shí)間：20nS
關(guān)斷延遲時(shí)間：45nS
上升時(shí)間：38ns
下降時(shí)間：20ns
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