8104mos管,30a40vmos管,KNG8104A場效應(yīng)管參數(shù)資料-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-05-13
KNG8104A場效應(yīng)管漏源擊穿電壓40V，漏極電流30A，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 12mΩ，最大限度地減少導(dǎo)電損耗；低電流、低功耗、開關(guān)速度快，高效低耗；100%經(jīng)雪崩測試、提高dv/dt能力，穩(wěn)定可靠，環(huán)保無鉛；廣泛應(yīng)用于PWM應(yīng)用、電源管理、負(fù)載開關(guān)等；封裝形式：DFN3*3。
漏源電壓：40V
漏極電流：-30A
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：120A
單脈沖雪崩能量：25MJ
功率耗散：96W
閾值電壓：1.5V
總柵極電荷：18nC
輸入電容：850PF
輸出電容：70PF
反向傳輸電容：62PF
開通延遲時間：4nS
關(guān)斷延遲時間：30nS
上升時間：8ns
下降時間：10ns
聯(lián)系方式：鄒先生
座機(jī)：0755-83888366-8022
手機(jī)：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市龍華區(qū)英泰科匯廣場2棟1902
搜索微信公眾號:“KIA半導(dǎo)體”或掃碼關(guān)注官方微信公眾號
關(guān)注官方微信公眾號：提供 MOS管 技術(shù)支持
免責(zé)聲明：網(wǎng)站部分圖文來源其它出處，如有侵權(quán)請聯(lián)系刪除。
