mos管輸出特性和轉移特性,mos管特性曲線-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-09-11
輸出特性
漏極電流（IDS）與漏源電壓（VDS）的關系，同時受柵源電壓（VGS）調控。
主要分為三個區域：
1.截止區：VDS<VGS-VT時，IDS=0，呈截止狀態；
2.線性區：VDS2VGS-VT時，IDS隨VDS線性增長，表現為可變電阻特性；
3.飽和區：當VDS2(VGS-VT)時，IDS趨于飽和，電流不再隨VDS顯著變化。
轉移特性
轉移特性反映柵源電壓對漏極電流的調控能力，表現為：
1.開啟電壓：n溝道MOS管需施加2VT的VGS才能形成導電溝道；
2.線性控制：VGS超過VT后，IDS隨VGS增大呈指數增長；
3.溫度影響：溫度升高會導致VT下降（約-2mV/°C），影響電流控制精度。
兩者關系可通過實驗測試相互驗證：輸出特性曲線上的某一點對應轉移特性曲線上的特定VGS值。
各類FET的特性：
轉移特性曲線（VGS-ID曲線）
轉移特性曲線展示了柵極電壓（VGS）對漏極電流（ID）的控制作用。
N溝道增強型MOSFET：當VGS超過閾值電壓（VTH）時，ID開始增加，曲線呈上升趨勢。
P溝道增強型MOSFET：當VGS低于負閾值電壓（-VTH）時，ID開始增加，曲線呈下降趨勢。
N溝道耗盡型MOSFET：即使VGS=0V，ID仍存在，當VGS為負時，ID減小直至截止。
P溝道耗盡型MOSFET：即使VGS=0V，ID仍存在，當VGS為正時，ID減小直至截止。
輸出特性曲線（VDS-ID曲線）
輸出特性曲線展示了漏極電流（ID）隨漏源電壓（VDS）的變化關系。
截止區：VGS未達到閾值電壓，ID幾乎為零。
線性區（歐姆區）：ID隨VDS線性增加，MOS管表現為可變電阻。
飽和區：ID基本不隨VDS變化，僅由VGS決定，適用于恒流源或放大電路。
擊穿區：VDS過高導致PN結擊穿，ID急劇上升。
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