充電mos,1000v場效應(yīng)管,to220f封裝,?KNF41100A參數(shù)-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-09-16
KNF41100A超高壓場效應(yīng)管漏源擊穿電壓1000V，漏極電流2A，低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 9.6Ω，最大限度地降低導(dǎo)通電阻，低柵極電荷最小化開關(guān)損耗、高效低耗；快速恢復(fù)體二極管用于反向電壓保護(hù)和續(xù)流功能，提高器件的開關(guān)速度和效率，穩(wěn)定可靠，符合RoHS，環(huán)保無鉛；廣泛應(yīng)用于SMPS備用電源、適配器、充電器；封裝形式：TO-220F，散熱出色、適合高功率場景。
漏源電壓：1000V
漏極電流：2A
柵源電壓：±30V
脈沖漏電流：8A
雪崩能量單脈沖：80MJ
最大功耗：60W
閾值電壓：2-4V
總柵極電荷：15nC
輸入電容：370PF
輸出電容：40PF
反向傳輸電容：4PF
開通延遲時(shí)間：8nS
關(guān)斷延遲時(shí)間：36nS
上升時(shí)間：6ns
下降時(shí)間：15ns
聯(lián)系方式：鄒先生
座機(jī)：0755-83888366-8022
手機(jī)：18123972950（微信同號(hào)）
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市龍華區(qū)英泰科匯廣場2棟1902
搜索微信公眾號(hào):“KIA半導(dǎo)體”或掃碼關(guān)注官方微信公眾號(hào)
關(guān)注官方微信公眾號(hào)：提供 MOS管 技術(shù)支持
免責(zé)聲明：網(wǎng)站部分圖文來源其它出處，如有侵權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。
