650v超結,11a650v,to263封裝,KCB6265A參數-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-09-26
超結MOS管KCB6265A采用KIA半導體先進的超級結技術制造，低導通電阻RDS(on) 0.33Ω，可以最大限度地減少導通損耗，提供卓越的開關性能，并在雪崩和換向模式下承受高能脈沖；具有低柵極電荷、高堅固性、快速切換，高效低耗；100%雪崩測試、改進的dv/dt能力，穩定可靠；非常適合于開關模式操作中的AC/DC功率轉換，以獲得更高的效率；封裝形式：TO-263。
漏源電壓：650V
漏極電流：11A
柵源電壓：±30V
脈沖漏電流：44A
單脈沖雪崩能量：250MJ
功率耗散：92W
閾值電壓：2-4V
總柵極電荷：22nC
輸入電容：632PF
輸出電容：37PF
反向傳輸電容：2.3PF
開通延遲時間：12nS
關斷延遲時間：65nS
上升時間：35ns
下降時間：30ns
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