50n06d,?50n06場效應(yīng)管參數(shù)引腳圖,KIA50N06D-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-10-21
KIA50N06D場效應(yīng)管漏源擊穿電壓60V，漏極電流50A，低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 18mΩ，開關(guān)速度快，導(dǎo)通電阻低，最大限度地減少導(dǎo)電損耗，提高效率；具有超低柵極電荷（典型30nC）、低反向傳輸電容、快速開關(guān)能力以及指定100%雪崩能量、改進(jìn)的dv/dt能力，在運(yùn)行中高效穩(wěn)定可靠；廣泛應(yīng)用于電子鎮(zhèn)流器、低功率開關(guān)等；封裝形式：TO-252，散熱出色。
漏源電壓：60V
漏極電流：50A
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：200A
單脈沖雪崩能量：480MJ
功率耗散：130W
閾值電壓：2-4V
總柵極電荷：30nC
輸入電容：900PF
輸出電容：430PF
反向傳輸電容：80PF
開通延遲時(shí)間：40nS
關(guān)斷延遲時(shí)間：90nS
上升時(shí)間：100ns
下降時(shí)間：80ns
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