830場效應管,500vmos???,to252,?KIA830HD參數引腳圖-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-10-28
KIA830HD場效應管漏源電壓500V，漏極電流5A，低導通電阻RDS(開啟) 1.0Ω，最大限度地減少導電損耗，提高效率；器件具有低電阻和低柵極電荷的特點，符合RoHS環保要求，穩定可靠，在峰值電流或脈沖寬度方面，都能夠表現出卓越的性能；830場效應管可以替代irf830、5n50場效應管型號應用在HD安定器、適配器、充電器和SMPS備用電源中；封裝形式：TO-252，散熱出色。
漏源電壓：500V
漏極電流：5A
柵源電壓：±20V
最大功耗：100W
開啟電壓：2~4V
總柵極電荷：20nC
輸入電容：730PF
輸出電容：80PF
反向傳輸電容：8PF
開通延遲時間：13nS
關斷延遲時間：40nS
上升時間：15ns
下降時間：20ns
聯系方式：鄒先生
座機：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市龍華區英泰科匯廣場2棟1902
搜索微信公眾號:“KIA半導體”或掃碼關注官方微信公眾號
關注官方微信公眾號：提供 MOS管 技術支持
免責聲明：網站部分圖文來源其它出處，如有侵權請聯系刪除。
