電機驅動mos,9150場效應管,500v40a,KNH9150A參數-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-11-14
KNH9150A場效應管漏源擊穿電壓500V，漏極電流40A，采用先進平面工藝制造，低導通電阻RDS(on) 88mΩ，能夠最大限度地減少導電損耗，低柵極電荷最小化開關損耗；具有堅固的多晶硅柵極結構，穩定可靠，提供卓越的開關性能；廣泛應用于BLDC電機驅動器、電動焊機、高效SMPS等，封裝形式：TO-3P，散熱效果好，適合高功率應用場景。
詳細參數：
漏源極電壓：500V
漏極電流：40A
導通電阻：88mΩ
柵源電壓：±30V
脈沖漏電流：160A
雪崩能量單脈沖：4000MJ
功率耗散：540W
閾值電壓：2-4V
總柵極電荷：146nC
輸入電容：7150PF
輸出電容：815PF
反向傳輸電容：105PF
開通延遲時間：27nS
關斷延遲時間：104nS
上升時間：40ns
下降時間：40ns
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