20n50場效應管參數,500v20a,KIA20N50HH現貨-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2026-01-08
KIA20N50HH場效應管漏源擊穿電壓500V，漏極電流20A，低導通電阻RDS(on)0.21Ω，低柵極電荷70nC，降低功率損耗，提高系統效率；快速開關能力、指定雪崩能量、改進的dvdt功能，高效穩定可靠；專為高壓、高速功率開關應用設計，適用于高效開關電源和有源功率因數校正等；封裝形式：TO-3P，耐壓高、抗擊穿能力強。
詳細參數：
漏源電壓：500V
漏極電流：20A
導通電阻：0.21Ω
柵源電壓：±30V
脈沖漏電流：80A
單脈沖雪崩能量：1110MJ
功率耗散：280W
總柵極電荷：70nC
輸入電容：2700PF
輸出電容：400PF
反向傳輸電容：40PF
開通延遲時間：100nS
關斷延遲時間：100nS
上升時間：400ns
下降時間：100ns
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