KIA12N65參數(shù)

KIA12n65hN溝道增強型硅柵功率MOSFET是專為高電壓，高速功率開關應用，如高效率開關電源，基于半橋拓撲結構的有源功率因數(shù)校正電子鎮(zhèn)流器。

KIA12N65特征

RDS(on)=0.63?@ VGS = 10V

低柵極電荷（典型的52nc）

快速切換的能力

雪崩能量

改進的dt／dt能力

產品型號：KIA12N65

工作方式：12A/650V

漏源電壓：650V

柵源電壓：±30V

漏電流連續(xù)：12.0*A

脈沖漏極電流：48.0*A

雪崩能量：865mJ

耗散功率：54W

熱電阻：62.5℃/W

漏源擊穿電壓：650V

溫度系數(shù)：0.7V/℃

柵極閾值電壓：2.0V

輸入電容：1850 PF

輸出電容：180 PF

上升時間：90 ns

封裝形式：TO-220F

	KIA12N65（12A 650V）
產品編號	KIA12N65/HF
FET極性	N溝道MOSFET
產品工藝	KIA12n65hN溝道增強型硅柵功率MOSFET是專為高電壓，高速功率開關應用，如高效率開關電源，基于半橋拓撲結構的有源功率因數(shù)校正電子鎮(zhèn)流器
產品特征	RDS(on) = 0.63?@ V GS = 10 V 低柵極電荷（典型的52nc）快速切換的能力雪崩能量改進的dt／dt能力
適用范圍	適用于高速功率開關，開關電源等
封裝形式	TO-220F
PDF文件	【直接在線預覽】
LOGO
廠家	KIA原廠家
網址	www.worksns.com
PDF總頁數(shù)	總5頁